本文關(guān)鍵詞：絕緣修飾層及其厚度對噴墨打印OTFT的影響

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【摘要】：通過在底柵頂接觸的噴墨打印有機薄膜晶體管的Si O2表面采用原子層沉積方式制備薄層的Al2O3修飾層,并與未修飾前進行比較,發(fā)現(xiàn)有源層在ALD-Al2O3修飾后的Si O2表面接觸角大大變小,且噴墨打印的有源層線條變粗。而隨著ALD-Al2O3修飾層厚度的增加,Si O2表面粗糙度變大。通過測試其電學(xué)性能,發(fā)現(xiàn)ALD-Al2O3修飾層厚度為1 nm時,OTFT的性能最好,與未修飾前相比,其遷移率提高了近8倍,而開關(guān)比提高約4個數(shù)量級。
【作者單位】： 福建工程學(xué)院信息科學(xué)與工程學(xué)院;福州大學(xué)平板顯示技術(shù)國家地方聯(lián)合工程實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 有機薄膜晶體管 原子層沉積 噴墨打印 表面修飾 修飾層厚度
【基金】：福建省自然科學(xué)基金資助項目(2016J01749;2015J05117) 福建省教育廳資助項目(JA15350)
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 有機薄膜晶體管(organic thin film transistor,OTFT)因其有較廣泛的應(yīng)用而受到科研人員的關(guān)注,這些應(yīng)用包括:射頻識別標(biāo)簽,柔性顯示,廉價的存儲器,生物及氣體傳感器,以及微處理器等。而有機薄膜晶體管被大量應(yīng)用的主要原因在于其獨特的優(yōu)點,包括低成本、良好的機械柔性,以及

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本文編號：811602