本文關鍵詞：磷鍺鋅晶體生長技術研究進展

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【摘要】：磷鍺鋅(ZnGeP_2)單晶體是一種性能優(yōu)異的紅外非線性光學晶體材料,被廣泛應用于各種先進的光學器件。研究ZnGeP_2晶體的生長方法,對低成本制備大體積、高質量的ZnGeP_2晶體具有重要意義。介紹了ZnGeP_2晶體的結構和應用領域,給出了ZnGeP_2多晶合成與單晶生長技術研究發(fā)展的最新動態(tài),并基于晶體生長原理以及生長條件控制方法的差異,綜述了水平溫度梯度冷凝(HGF)法、液封提拉(LEC)法、高壓氣相(HPVT)法和垂直布里奇曼(VB)法4種主要的ZnGeP_2單晶體生長方法的優(yōu)缺點;重點闡述了較成熟的HGF和VB法生長ZnGeP_2晶體的影響因素和研究進展,提出了ZnGeP_2單晶制備技術存在的主要問題和今后的發(fā)展方向。
【作者單位】： 中國民用航空飛行學院;四川大學材料科學與工程學院;
【關鍵詞】： 磷鍺鋅(ZGP)單晶體 多晶合成 單晶生長 水平溫度梯度冷凝(HGF)法 垂直布里奇曼(VB)法
【基金】：國家自然科學基金資助項目(50732005) 四川省科技廳基金資助項目(2015ZR0034) 民航局科技創(chuàng)新引導資金資助項目(20150212) 中國民用航空飛行學院科研基金資助項目(J2014-92,Q2012-126)
【分類號】：TN304.054
【正文快照】： 垂直布里奇曼(VB)法0引言Zn Ge P2(ZGP)是一種三元系化合物半導體材料,II-IV-V2黃銅礦結構,四方晶系,屬42 m點群,黑灰色晶體,晶格常數(shù)a=b=0.546 5 nm,c=1.071 1 nm,α=β=γ=90°,密度4.162 g/cm3,熔點1 027℃[1-2]。該類型的黃銅礦結構是一種由一個II族原子和一個IV族原子取

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