本文關(guān)鍵詞：碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管短路特性

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【摘要】：器件的短路能力對(duì)整流器及其故障保護(hù)具有極其重要的意義。當(dāng)器件故障運(yùn)行時(shí),為避免器件損壞,須在最短的時(shí)間內(nèi)將故障予以切除,而此時(shí)器件的最大短路運(yùn)行時(shí)間為系統(tǒng)保護(hù)裝置提供了有力的時(shí)間支持。主要研究了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Si C MOSFET)在短路條件下的運(yùn)行能力,以Cree公司的1 200 V/19 A Si C MOSFET為模型,設(shè)計(jì)了硬件電路,測(cè)試其不同電壓等級(jí)下的短路電流;并在直流電壓等級(jí)為600 V的條件下,測(cè)試了不同柵極電壓、不同溫度工況下的短路電流。研究結(jié)果表明器件的短路峰值電流隨著柵極電壓的升高而增大,而其短路運(yùn)行時(shí)間卻大幅降低;溫度對(duì)短路運(yùn)行時(shí)間的影響則相對(duì)不甚明顯;同時(shí)還給出了器件在不同工況下的最大短路運(yùn)行時(shí)間Tsc(max)。
【作者單位】： 湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 短路測(cè)試 短路電流 短路能力
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51577054)~~
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,一直是電力電子設(shè)備進(jìn)步的決定性力量,傳統(tǒng)硅基器件開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝已經(jīng)日趨完善,甚至接近其材料本身所決定 的理論極限[1]。20世紀(jì)90年代后期,碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)進(jìn)展引起了半導(dǎo)體器件專家學(xué)者們的注意。與傳統(tǒng)的硅材料相比,

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2 林s，

本文編號(hào)：796295