本文關鍵詞：刻蝕AlN緩沖層對硅襯底N極性n-GaN表面粗化的影響

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【摘要】：研究了等離子體刻蝕Al N緩沖層對硅襯底N極性n-Ga N表面粗化行為的影響.實驗結果表明,表面Al N緩沖層的狀態(tài)對N極性n-Ga N的粗化行為影響很大,采用等離子體刻蝕去除一部分表面Al N緩沖層即可以有效提高N極性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,Al N緩沖層未經(jīng)任何刻蝕處理的樣品粗化速度過慢,被刻蝕完全去除Al N緩沖層的樣品容易出現(xiàn)粗化過頭的現(xiàn)象.經(jīng)X射線光電子能譜分析可知,等離子體刻蝕能夠提高樣品表面Al N緩沖層Al_2p的電子結合能,使得樣品表面費米能級向導帶底靠近,原子含量測試表明樣品表面產(chǎn)生了大量的N空位,N空位提供電子,使得材料表面費米能級升高,這降低了KOH溶液和樣品表面之間的肖特基勢壘,從而有利于表面粗化的進行.通過等離子體刻蝕掉表面部分Al N緩沖層,改善了N極性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,明顯提升了對應發(fā)光二級管器件的出光功率.
【作者單位】： 南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心;
【關鍵詞】： 氮化鎵 氮化鋁 表面粗化 發(fā)光二極管
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61334001;11364034;21405076) 國家科技支撐計劃(批準號:2011BAE32B01) 國家高技術研究發(fā)展計劃(批準號:2011AA03A101) 江西省科技支撐計劃(批準號:20151BBE50111)資助的課題~~
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 研究了等離子體刻蝕Al N緩沖層對硅襯底N極性n-Ga N表面粗化行為的影響.實驗結果表明,表面Al N緩沖層的狀態(tài)對N極性n-Ga N的粗化行為影響很大,采用等離子體刻蝕去除一部分表面Al N緩沖層即可以有效提高N極性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,Al N緩沖層未經(jīng)任何刻蝕處理的樣品粗化

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本文編號：795392