本文關鍵詞：氧化物薄膜納米疊層工藝及電阻特性研究

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【摘要】：通過改變Zn/Al組分比例,可以得到不同物理特性的AZO薄膜。在這項研究中,采用原子層沉積技術(ALD)來制備ZnO/Al2O3薄膜,通過調整ALD脈沖序列,ZnO/Al2O3薄膜中的ZnO成分比例可在0-100%范圍內調節(jié),調整沉積溫度與前驅體的通氣時間,可以改善ZnO/Al2O3薄膜的包覆性。利用SEM和ICP-AES法對薄膜表面形貌和成分進行分析,并通過對不同溫度、不同熱處理時間、不同熱處理氣氛三個因素的調控,來探究退火處理對薄膜電阻特性的影響。結果表明:隨著前驅體反應時間的增加和沉積溫度的提升,ZnO/Al2O3薄膜的包覆性得到改善。ALD技術制備的ZnO/Al2O3薄膜生長致密均勻,但由于存在ZnO的腐蝕虧損,實驗制得的薄膜厚度比設計的厚度值要小。同時發(fā)現(xiàn)薄膜的電阻會隨著Zn含量的增加而降低,退火處理也對薄膜的電阻影響不大。
【關鍵詞】：ZnO/Al2O3薄膜 納米疊層 原子層沉積 電阻特性
【學位授予單位】：長春理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN304.2
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-8
• 第一章 緒論8-19
• 1.1 微通道板器件與制備技術的簡介8-11
• 1.1.1 微通道板工作原理8
• 1.1.2 微通道板的類型8-10
• 1.1.3 薄膜打拿極技術10-11
• 1.2 AZO薄膜納米疊層技術11-17
• 1.2.1 AZO薄膜的國內外發(fā)展及應用11-12
• 1.2.2 AZO薄膜制備技術12-14
• 1.2.3 原子層沉積技術簡介14-16
• 1.2.4 高阻AZO薄膜電阻率測量技術16-17
• 1.3 本論文主要研究內容及意義17-19
• 1.3.1 主要內容17
• 1.3.2 研究意義17-19
• 第二章 AZO薄膜納米疊層設計與制備實驗19-31
• 2.1 微通道板對薄膜打拿極導電層薄膜的要求19-20
• 2.1.1 微通道板的板電阻特性19
• 2.1.2 微通道板打拿極薄膜電阻分析19-20
• 2.2 導電層薄膜材料與疊層結構設計20-24
• 2.2.1 打拿極導電層薄膜材料要求20-21
• 2.2.2 導電層薄膜材料的選擇21-22
• 2.2.3 AZO薄膜疊層設計22-24
• 2.3 AZO薄膜納米疊層制備實驗24-29
• 2.3.1 ALD系統(tǒng)及實驗原料24
• 2.3.2 ALD實驗原理24-25
• 2.3.3 ALD工藝程序編譯25-27
• 2.3.4 AZO薄膜制備工藝流程27-28
• 2.3.5 退火實驗28-29
• 2.4 AZO納米疊層性能測試表征29-30
• 2.4.1 薄膜形貌測試分析29
• 2.4.2 薄膜成分分析29-30
• 2.4.3 薄膜方阻測量30
• 2.5 本章小結30-31
• 第三章 AZO納米疊層結構和微觀形貌特性31-38
• 3.1 影響薄膜包覆性因素的研究31-34
• 3.1.1 壓強及載氣流量對AZO薄膜包覆性的影響32
• 3.1.2 沉積溫度對AZO薄膜包覆性的影響32-33
• 3.1.3 前驅體通氣時間對AZO薄膜包覆性的影響33-34
• 3.2 AZO薄膜表面形貌分析34-35
• 3.2.1 沉積溫度對AZO薄膜表面形貌的影響34
• 3.2.2 疊層對AZO薄膜表面形貌的影響34-35
• 3.3 襯底材料對薄膜厚度的影響35-36
• 3.4 不同子層對薄膜疊層形貌的影響36
• 3.5 本章小結36-38
• 第四章 AZO納米疊層薄膜電阻特性38-46
• 4.1 薄膜方阻測量系統(tǒng)38-40
• 4.1.1 高阻薄膜測量的特點和要求38
• 4.1.2 薄膜方阻測試系統(tǒng)設計38-40
• 4.2 AZO薄膜的電阻特性分析40-43
• 4.2.1 AZO組成對薄膜電阻的影響40-42
• 4.2.2 AZO疊層對薄膜電阻的影響42-43
• 4.3 退火處理對薄膜電阻的影響43-45
• 4.3.1 退火時間對薄膜電阻的影響43-44
• 4.3.2 退火溫度對薄膜電阻的影響44
• 4.3.3 退火氣氛對薄膜電阻的影響44-45
• 4.4 本章小結45-46
• 結論46-47
• 致謝47-48
• 參考文獻48-50
• 發(fā)表論文和科研情況說明50-51
• 附錄51-52

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本文編號：702107