本文關(guān)鍵詞：基于IGBT有源門極控制的EMI抑制方法研究

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【摘要】：隨著大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)廣泛應(yīng)用于電力電子裝置,其產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)問(wèn)題成為研究熱點(diǎn)。IGBT有源門極控制(ACC),該控制方法在關(guān)斷瞬間獲得不同的反饋增益,進(jìn)而抑制關(guān)斷電壓尖峰。在此分析電路的工作原理、系統(tǒng)穩(wěn)定性及門極電壓波形,利用Saber仿真軟件建立IGBT串聯(lián)電路模型,在傳導(dǎo)干擾測(cè)試頻率范圍內(nèi),考慮寄生參數(shù)的情況下,仿真了IGBT在傳統(tǒng)門極控制和AGC下的共模/差模(CM/DM)干擾。搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),通過(guò)測(cè)試得到AGC下對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生的EMI抑制效果更好,對(duì)電力電子裝置傳導(dǎo)EMI的抑制分析具有重要意義。
【作者單位】： 天津理工大學(xué)天津市復(fù)雜系統(tǒng)控制理論及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 有源門極控制 抑制方法
【基金】：天津市應(yīng)用基礎(chǔ)與前沿技術(shù)研究計(jì)劃(14JCYBJC18400)~~
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 1引言 隨著電力電子器件的不斷發(fā)展,大功率igbt以其開關(guān)速度快、耐壓等級(jí)高及安全工作區(qū)較寬等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于肖力電子裝置。顛,壓降師關(guān)損耗的權(quán)衡問(wèn)題~栕舽IGBT的發(fā)展,}IGBT的串聯(lián)技術(shù)具有減小開關(guān)損耗,能夠達(dá)到*高的工作電壓以及提高設(shè)備性能等優(yōu)點(diǎn),成為滿足大功率變換

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 張國(guó)安;張東霞;姜永金;董雅麗;;IGBT的du/dt有源門極控制技術(shù)的研究[J];電力電子技術(shù);2012年06期

2 李明;王躍;高遠(yuǎn);王兆安;;采用動(dòng)態(tài)電壓上升控制的1700 V大功率IGBT有源門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)[J];高電壓技術(shù);2014年08期

3 ;[J];;年期

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本文編號(hào)：678565