本文關(guān)鍵詞：工藝條件對(duì)鋁柵化學(xué)機(jī)械平坦化效果的影響

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【摘要】：采用由2.5%(體積分?jǐn)?shù),下同)硅溶膠磨料、1.5%H2O2、0.5%FA/O型螯合劑和1.0%表面活性劑組成的拋光液對(duì)鋁柵表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理。研究了拋光墊、拋光壓力、流量、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光墊轉(zhuǎn)速以及拋光后清洗對(duì)鋁柵表面粗糙度的影響。采用POLITEXTM REG拋光墊,在拋光壓力1.5 psi,拋頭轉(zhuǎn)速60 r/min,拋光盤(pán)轉(zhuǎn)速65 r/min,拋光液流量150 mL/min的條件下,對(duì)鋁柵拋光后用自主研發(fā)的清洗劑清洗,鋁柵表面粗糙度最低(2.8 nm),并且無(wú)劃痕、腐蝕、顆粒殘留等表面缺陷。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;華北理工大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 鋁柵 化學(xué)機(jī)械平坦化 缺陷 粗糙度
【基金】：國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02308) 天津市自然科學(xué)基金(16JCYBJC16100)
【分類號(hào)】：TG175.3;TN305.2
【正文快照】： 鋁化學(xué)機(jī)械平坦化最早應(yīng)用在鋁互連布線的后道工藝中[1]。當(dāng)集成電路進(jìn)入微電子發(fā)展階段,CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物導(dǎo)體)晶體管也進(jìn)入微米級(jí)節(jié)點(diǎn)技術(shù)時(shí)代,銅憑借其低電阻和高可靠性的優(yōu)點(diǎn)取代了鋁布線[2]。2007年,英特爾公司開(kāi)發(fā)了具有高k金屬柵(HKMG)技術(shù)的微電子器件[3],使45 nm

【相似文獻(xiàn)】

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