本文關鍵詞：HgCdTe材料器件中的熱處理技術

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【摘要】：熱處理技術在整個HgCdTe材料器件工藝中有著重要地位。在一定的熱力學條件下對HgCdTe材料進行熱處理,可通過原子的熱運動,調(diào)整材料電學性能和摻雜原子的占位形態(tài)、降低材料缺陷密度,以達到改善HgCdTe材料器件性能的目的。從熱處理與電學性能、熱處理與缺陷密度、摻雜材料中的熱處理技術以及器件工藝中的熱處理技術等幾方面進行了總結(jié)論述。
【作者單位】： 昆明物理研究所;
【關鍵詞】： HgCdTe 熱處理 位錯密度 摻雜激活 電學性能
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 0引言1959年Lawson等人發(fā)現(xiàn)了Hg1-xCdxTe半導體材料,該發(fā)現(xiàn)對近60年紅外探測器的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響[1]。碲鎘汞材料是由具有負禁帶的Hg Te和正禁帶的Cd Te混合而成,它是具有直接帶隙的(Hg Te)1-x(Cd Te)x膺二元化合物材料,其禁帶寬度可隨組分x的變化在0~1.6 e V范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 張傳杰;楊建榮;吳俊;魏彥峰;何力;;碲鎘汞富汞熱處理技術的研究[J];激光與紅外;2006年11期

2 ;[J];;年期

，

本文編號：658048