本文關(guān)鍵詞：基于信息論的高容錯(cuò)MRF電路的供電電壓分析

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【摘要】：低功耗技術(shù)是當(dāng)前研究熱點(diǎn),尤其對于手持移動(dòng)設(shè)備,其重要性更為突出.降低電壓是降低功耗最直接有效的方式之一,傳統(tǒng)CMOS(complementary metal oxide semiconductor)電路在低電壓條件下已無法正常工作,而基于能量觀點(diǎn)的MRF(Markov random field)電路在超低電壓下卻擁有BER(bit error rate)超過10~(-5)的良好穩(wěn)定性,從而引起學(xué)術(shù)界廣泛關(guān)注,但是缺少對MRF電路的電路穩(wěn)定性和其供電電壓之間的理論研究.本文基于信息論的觀點(diǎn)對MRF電路進(jìn)行了理論分析與證明,證明出在輸出正確概率相同的條件下,MRF電路的供電電壓下界低于傳統(tǒng)CMOS電路,并且進(jìn)一步證明出其本質(zhì)原因.本文的工作可以為后續(xù)基于MRF的低功耗高穩(wěn)定性電路設(shè)計(jì)提供理論基礎(chǔ).
【作者單位】： 電子科技大學(xué)通信抗干擾技術(shù)國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 信息論 Markov電路 低功耗 供電電壓 穩(wěn)定性
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61371104) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863)(批準(zhǔn)號:2012AA011702)資助項(xiàng)目
【分類號】：TN432
【正文快照】： 1引言 隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,信息系統(tǒng)朝著更大的傳輸速率、更高的處理能力、更低的功率消耗等方向發(fā)展W.因此,如何大幅度地降低信息系統(tǒng)及電路的功耗已經(jīng)成為信息技術(shù)研究的熱點(diǎn)和亟待解決的問題.數(shù)字互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cojaplaj曬ta,ry metal oxide庿iiiConductor,CMOS)電

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本文編號：610662