發(fā)布時(shí)間：2017-08-02 16:18

  本文關(guān)鍵詞：超晶格雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu)優(yōu)化及性能研究

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【摘要】：基于碰撞離化理論研究了異質(zhì)材料超晶格結(jié)構(gòu)對(duì)載流子離化率的作用,設(shè)計(jì)得到In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As超晶格結(jié)構(gòu)的雪崩光電二極管。通過(guò)分析不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)器件性能的影響,得到了低隧道電流、高倍增因子的超晶格結(jié)構(gòu)雪崩層,根據(jù)電場(chǎng)分布方程模擬了器件二維電場(chǎng)分布對(duì)電荷層厚度及摻雜的依賴關(guān)系,并優(yōu)化了吸收層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。對(duì)優(yōu)化得到的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真并實(shí)際制作了探測(cè)器件,進(jìn)行光電特性測(cè)試,與同結(jié)構(gòu)普通雪崩光電二極管相比,超晶格雪崩光電二極管具有更強(qiáng)的光電流響應(yīng),在12.5~20 V的雪崩倍增區(qū),超晶格雪崩光電二極管在具備高倍增因子的同時(shí)具有較低的暗電流,提高了器件的信噪比。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;昆明物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 超晶格雪崩光電二極管 離化率 信噪比
【分類號(hào)】：TN312.7
【正文快照】： 2.昆明物理研究所,云南昆明650223)1引言雪崩光電二極管(avalanche photodiode,APD)由于其固有的倍增機(jī)制,能夠探測(cè)微弱的光信號(hào)并且器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、體積小,使得它用作光接收器具有更大的優(yōu)勢(shì)[1-4]。利用晶格與In P匹配的In0.53Ga0.47As材料作為吸收層的光電探測(cè)器,其

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5 金豪U，

本文編號(hào)：610149