本文關(guān)鍵詞：板級DDR3的EMI抑制

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【摘要】：某DDR3輻射超標(biāo),通過串聯(lián)電阻、ODT技術(shù)等方式改善信號反射從而抑制其EMI。最終的仿真結(jié)果表明,在DDR3系統(tǒng)中,串聯(lián)電阻減小了7%的遠(yuǎn)場能量,25%的近場能量;ODT技術(shù)減小了5%的遠(yuǎn)場能量,40%的近場能量。
【作者單位】： 深圳市一博科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 印制電路板 電磁干擾 DDR 芯片內(nèi)端接 串聯(lián)電阻
【分類號】：TN40
【正文快照】： 引言在開路的位置信號的幅值將會變?yōu)樵挤档膬杀?這DDR3(double data rate three synchronous dynamic意味著信號本身的輻射的峰值將會變成原來的兩倍。random access memory,雙倍數(shù)據(jù)率三同步動態(tài)隨機(jī)存取DDR3信號傳輸時(shí),驅(qū)動阻抗通常為34Ω,接收存儲器)是一個(gè)典型的易引

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本文編號：577878