本文關(guān)鍵詞：調(diào)制損耗對(duì)硅基MZI結(jié)構(gòu)光調(diào)制器非線(xiàn)性特性的影響

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【摘要】：針對(duì)基于馬赫-曾德干涉儀結(jié)構(gòu)的硅基光調(diào)制器中非線(xiàn)性電光響應(yīng)的問(wèn)題,采用包含PN結(jié)非線(xiàn)性調(diào)制損耗和非線(xiàn)性折射率變化的模型,通過(guò)數(shù)值仿真方法,研究了上下兩臂對(duì)稱(chēng)和不對(duì)稱(chēng)兩種情況下,調(diào)制損耗對(duì)硅基光調(diào)制器非線(xiàn)性的影響.對(duì)比考慮調(diào)制損耗和忽略調(diào)制損耗的模型,發(fā)現(xiàn)在常規(guī)大信號(hào)情況下,當(dāng)光調(diào)制器偏置相位為0時(shí),調(diào)制損耗使得三次諧波增強(qiáng),四次諧波減弱;當(dāng)光調(diào)制器偏置相位為π/2時(shí),調(diào)制損耗使得二次和四次諧波增強(qiáng);而在小信號(hào)情況下,三次和四次等高次諧波不明顯,在光調(diào)制器偏置相位為0時(shí),調(diào)制損耗在光調(diào)制器上下兩臂不對(duì)稱(chēng)情況下增加了基頻分量串?dāng)_;在光調(diào)制器偏置相位為π/2時(shí),調(diào)制損耗的影響主要表現(xiàn)為增加了二次諧波分量.
【作者單位】： 上海第二工業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院;上海第二工業(yè)大學(xué)文理學(xué)部;湖南師范大學(xué)物理與信息科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 硅光子學(xué) 光調(diào)制器 非對(duì)稱(chēng)馬赫-曾德干涉儀結(jié)構(gòu) 非線(xiàn)性 光通信
【基金】：上海第二工業(yè)大學(xué)�；痦�(xiàng)目(Nos.EGD14XQD03;EGD14XQD01;EGD16XQD07);上海第二工業(yè)大學(xué)校級(jí)重點(diǎn)學(xué)科(No.XXKZD1302) 湖南省自然科學(xué)基金(No.11JJ6053)資助~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN761
【正文快照】： 1-30032500引言硅光子學(xué)(Silicon Photonics)的出現(xiàn)和硅基光子器件的發(fā)展為實(shí)現(xiàn)光通信系統(tǒng)的高集成化和低功耗奠定了基礎(chǔ)[1-4].硅基光調(diào)制器[5]是采用便于集成的硅基器件制作而成,可應(yīng)用于光互聯(lián)通信、甚至是傳統(tǒng)意義的長(zhǎng)距離光傳輸中.自2004年,Intel公司利用電容的載流子積累

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：569362