本文關鍵詞：晶硅表面亞微米結(jié)構(gòu)陣列的介電微球輔助激光-化學復合成型

  更多相關文章： 激光技術(shù) 介電微球 準分子激光 單晶硅 堿刻蝕 微結(jié)構(gòu)陣列

【摘要】：介紹了一種具有高工藝可控性特征的單晶硅表面亞微米結(jié)構(gòu)陣列介電微球輔助激光-化學復合成型的方法,采用這種方法可以在單晶硅表面制備具有較好周期性和均一性的三維微結(jié)構(gòu)陣列。分析并總結(jié)了微球直徑、刻蝕時間及激光脈沖能量密度對結(jié)構(gòu)成型的影響規(guī)律,根據(jù)時域有限差分模擬法和晶硅結(jié)晶及其化學刻蝕的基礎理論,分析研究了微結(jié)構(gòu)的成型機制,并以樣品表面反射率為例,驗證了利用不同工藝所制備出的微米結(jié)構(gòu)陣列對其表面光學性能的調(diào)控作用。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學激光工程研究院;
【關鍵詞】： 激光技術(shù) 介電微球 準分子激光 單晶硅 堿刻蝕 微結(jié)構(gòu)陣列
【基金】：國家自然科學基金(51575013,51275011) 北京市教育委員會科技計劃(KZ201310005005)
【分類號】：TN249;TN304.12
【正文快照】： 1引言作為一種重要的半導體材料,單晶硅被廣泛應用于微/納機電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)及太陽能電池等電子和能源領域。通過對單晶硅表面微納結(jié)構(gòu)的制備可以有效調(diào)控其功能性質(zhì)以滿足應用需求[1-3]。傳統(tǒng)制備方法是濕刻法,即利用化學溶劑對其表面進行刻蝕而獲得分布和維度隨機的金字塔

【相似文獻】

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 李偉東;王順成;陳和興;戚文軍;周海濤;;鑄鍛復合成型技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀況及其應用前景[A];中國有色金屬學會第十四屆材料科學與合金加工學術(shù)年會論文集[C];2011年

2 鮑迎;徐標;呂槊賢;;阻燃型連續(xù)復合成型PIR板材組合料[A];中國聚氨酯工業(yè)協(xié)會第十一次年會論文集[C];2002年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 ;復合包裝材料的復合成型機[N];中國包裝報;2005年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 陳明安;鋁薄板/塑料復合成型機理的研究——鋁薄板成型及其與聚丙烯的粘接界面特性[D];中南大學;2002年

，

本文編號：546528