本文關(guān)鍵詞：半導體三極管綜合測試系統(tǒng)的硬件研究與實現(xiàn)

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【摘要】：半導體分立器件產(chǎn)業(yè)是衡量國家綜合實力的重要支柱性產(chǎn)業(yè)之一,而三極管作為其中的代表器件,自從其廣泛使用在人們的生活中以后,在很短的時間內(nèi),就推動了人類文明的巨大進步,使得人類加快了從電氣時代邁向電子時代的步伐。集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,同樣離不開半導體三極管,這使得計算機技術(shù)走進人們的生活,人類感受到了自動化時代的強烈震撼。時至今日,半導體三極管依然是未來高新技術(shù)發(fā)展的一個方向。隨著半導體三極管制造業(yè)的蓬勃興起,其測試產(chǎn)業(yè)也已經(jīng)形成規(guī)模,其所需的測試設備當前卻是供需不平衡。目前在我國使用的測試設備較多的是兩種,一種是實力較強的大企業(yè)所使用的綜合測試設備,這種設備通常是國外的品牌,另一種是競爭實力相對較弱的中小企業(yè)所使用的晶體管圖示儀,晶體管圖示儀在測量時自動化程度不高,耗費大量人力資源,國外的綜合測試設備雖然在測試性能以及穩(wěn)定性上有一定的保證,但同樣也有其不可避免的缺點,例如成本高、維修困難等。因此,自主研發(fā)相應的綜合測試系統(tǒng)勢在必行。本文主要針對半導體三極管的測試方法進行研究,優(yōu)選測試方案、對半導體三極管綜合測試系統(tǒng)的硬件部分進行設計與實現(xiàn),此測試系統(tǒng)能對半導體三極管的直流放大倍數(shù)、漏電流、飽和參數(shù)、反向耐壓參數(shù)進行測量。本文對半導體三極管的直流放大倍數(shù)、漏電流、飽和壓降、反響耐壓測量方法進行了研究,并優(yōu)選出相應的測試方案,其中放大倍數(shù)運用了新型脈沖測試方案;對綜合測試系統(tǒng)的硬件部分進行了研究與設計,硬件系統(tǒng)分為CPU部分、基極電流IB部分、集電極電流IC部分等;最后完成了測試系統(tǒng)的調(diào)式以及驗證,利用高精度萬用表以及示波器驗證了測試系統(tǒng)的可行性以及精確度。本文研究的半導體三極管綜合測試系統(tǒng)具有測試速度快、穩(wěn)定性好、測試精度高、重復性誤差小、擁有較低的硬件成本等特點。
【關(guān)鍵詞】：半導體三極管 綜合測試儀 脈沖測試 嵌入式技術(shù)
【學位授予單位】：湘潭大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN32
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 第一章 緒論9-12
• 1.1 課題背景9-10
• 1.1.1 半導體三極管的發(fā)展狀況9
• 1.1.2 半導體三極管測試產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況9-10
• 1.1.3 半導體三極管生產(chǎn)廠家發(fā)展狀況10
• 1.2 課題研究意義10-11
• 1.3 課題來源及研究內(nèi)容11
• 1.3.1 課題來源11
• 1.3.2 論文研究內(nèi)容11
• 1.4 本章小結(jié)11-12
• 第二章 半導體三極管直流參數(shù)測量方法的研究12-26
• 2.1 半導體三極管直流放大倍數(shù)12-17
• 2.1.1 放大倍數(shù)的測量原理與條件12
• 2.1.2 影響測試放大倍數(shù)的因素12-14
• 2.1.3 放大倍數(shù)的測試方法14-17
• 2.2 半導體三極管漏電流17-21
• 2.2.1 漏電流的測試原理與條件17-18
• 2.2.2 漏電流的測試方法18-21
• 2.3 半導體三極管飽和參數(shù)21-22
• 2.3.1 飽和參數(shù)測試原理與條件21
• 2.3.2 飽和參數(shù)測試方法21-22
• 2.4 半導體三極管反向耐壓22-25
• 2.4.1 反向耐壓測試原理與條件22-23
• 2.4.2 反向耐壓測試方法23-25
• 2.5 本章小結(jié)25-26
• 第三章 測試系統(tǒng)的硬件設計方案26-50
• 3.1 系統(tǒng)的整體設計方案26-27
• 3.2 CPU部分27-32
• 3.2.2 電源設計27-28
• 3.2.3 復位設計28
• 3.2.4 時鐘設計28-29
• 3.2.5 I/O接口29-30
• 3.2.6 調(diào)試接口30-31
• 3.2.7 CPU及相關(guān)外圍電路原理圖31-32
• 3.3 高精度AD/DA電路32-34
• 3.3.1 模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設計32-33
• 3.3.2 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的設計33-34
• 3.4 基極電流I_B部分34-37
• 3.4.1 基極程控電流源34-35
• 3.4.2 獨立AD/DA35
• 3.4.3 光耦隔離35-37
• 3.5 集電極電流I_C部分37-39
• 3.6 漏電流檢測部分39-40
• 3.7 飽和壓降測試部分40-41
• 3.8 反向耐壓高壓部分41-42
• 3.9 繼電器切換矩陣42-44
• 3.10 系統(tǒng)電源44-48
• 3.10.1 常用電平及恒壓源電路44-45
• 3.10.2 基極隔離電源電路45-46
• 3.10.3 電源反饋控制電路46-47
• 3.10.4 鉗位保護電路47-48
• 3.11 TTL串口通信48-49
• 3.12 本章小結(jié)49-50
• 第四章 系統(tǒng)的調(diào)試及實驗驗證50-64
• 4.1 上位機軟件連接調(diào)試50
• 4.2 各項參數(shù)的校準50-51
• 4.3 程控電壓源及電流源驗證實驗51-54
• 4.3.1 測試儀器精度的表達方式51-52
• 4.3.2 程控電壓源驗證實驗52-53
• 4.3.3 基極電流驗證實驗53
• 4.3.4 集電極電流驗證實驗53-54
• 4.4 放大倍數(shù)測量實驗54-56
• 4.5 漏電流測量實驗56-58
• 4.6 飽和壓降測試實驗58-60
• 4.7 反向耐壓測試實驗60-62
• 4.8 實際器件參數(shù)指標的測試實驗62-63
• 4.9 本章小結(jié)63-64
• 第五章 總結(jié)與展望64-65
• 參考文獻65-67
• 致謝67-68
• 個人簡歷、在學期間發(fā)表的學術(shù)論文與研究成果68

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 И.И.李特維諾夫;倪兆京;;半導體三極管的高頻等效線路[J];電信科學;1957年04期

2 С.И.費德洛夫,段信彬;半導體三極管泠卻系統(tǒng)的計算[J];晶體管散熱譯文集;1964年03期

3 宋牧襄;半導體三極管的發(fā)明及其科學內(nèi)涵(上)[J];中國工程師;1997年01期

4 宋牧襄;半導體三極管的發(fā)明及其科學內(nèi)涵(下)[J];軟件工程師;1997年02期

5 周存芳;;基于半導體三極管電路的教學過程研究分析[J];新課程學習(中);2013年12期

6 王東起;半導體三極管的損壞機理淺析[J];勝利油田師范�？茖W校學報;2003年04期

7 黨自恒;;淺談半導體三極管的作用[J];中國市場;2011年45期

8 劉光茹;;半導體三極管的識別和檢測[J];職業(yè)技術(shù);2011年12期

9 陳仁豪;;演示用半導體三極管振卛器的制作[J];物理通報;1960年07期

10 А.Н.АФАНАСЪЕВ;王熙;;半導體三極管穩(wěn)壓線路的分析[J];電子計算機動態(tài);1962年05期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 楊明明;;基于LabVIEW的半導體三極管特性研究[A];第六屆全國高等學校物理實驗教學研討會論文集（上冊）[C];2010年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 南京 江柏;也談半導體三極管的檢測[N];電子報;2011年

2 山東 房玉鋒;半導體三極管的檢測[N];電子報;2010年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 陳彥翔;半導體三極管綜合測試系統(tǒng)的硬件研究與實現(xiàn)[D];湘潭大學;2016年

2 楊建光;半導體三極管靜電放電電磁脈沖效應實驗研究[D];河北師范大學;2008年

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本文編號：545458