本文關(guān)鍵詞：基于RF MEMS開關(guān)的4位分布式移相器的設(shè)計(jì)

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【摘要】：RF MEMS移相器與傳統(tǒng)移相器相比,具有低損耗、頻帶寬、微型化,同時(shí)與IC、MMIC電路易于集成等特點(diǎn),文中設(shè)計(jì)一種Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15個(gè)MEMS電容式并聯(lián)開關(guān),同時(shí)在MEMS開關(guān)中加入MIM電容,實(shí)現(xiàn)了4位相移。文中對Ka波段4位RF MEMS移相器進(jìn)行設(shè)計(jì)與分析,通過MEMS開關(guān)的切換實(shí)現(xiàn)信號延遲通路,0~180°步進(jìn)22.5°的相移功能。通過改變驅(qū)動電壓從而調(diào)整MEMS橋的高度,仿真測得開關(guān)理論下壓電壓為18.9 V。仿真結(jié)果表明在中心頻率31 GHz時(shí),其插入損耗大于-2.2 d B,回波損耗小于-25 d B,相移誤差在1.5°范圍內(nèi),移相器具有較好的移相性能。
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院安徽省MEMS工程技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： RF MEMS開關(guān) 微電子機(jī)械系統(tǒng) Ka波段 移相器
【基金】：國家863計(jì)劃資助項(xiàng)目(2013AA041101)
【分類號】：TN623
【正文快照】： 0引言微波和毫米波移相器在相控陣天線的電信部件和雷達(dá)中是必不可少的應(yīng)用,隨著近年來MEMS技術(shù)的發(fā)展,與基于鐵氧體材料,PIN二極管或場效應(yīng)晶體管(FET)開關(guān)移相器相比,RF MEMS移相器具有寬頻帶、高線性度、損耗小和超小型化,同時(shí)與IC、MMIC電路易于集成等特點(diǎn),因此RF MEMS移

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9 劉sチ，

本文編號：527329