本文關(guān)鍵詞：碳化硅基片上螺旋電感建模

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【摘要】：在射頻集成電路設(shè)計(jì)中,片上螺旋電感應(yīng)用非常廣泛。對(duì)于GaN器件,由于其單晶制備困難,無法進(jìn)行同質(zhì)外延,選用SiC作為GaN器件襯底是較為理想的選擇。本文將針對(duì)SiC襯底進(jìn)行片上螺旋電感建模,基于Enhance 1-p等效電路模型,可縮放模型中所有集總元件均用與電感的物理尺寸相關(guān)聯(lián)的方程表示,并能準(zhǔn)確表征使用同一工藝制造但不同尺寸射頻螺旋電感的電性能。對(duì)一批具有不同電感值、圈數(shù)、線寬、間距、內(nèi)徑的方形螺旋電感進(jìn)行仿真驗(yàn)證,結(jié)果表明,在諧振頻率或20GHz以下,等效電路模型的S參數(shù)計(jì)算值可以很好的吻合電磁仿真結(jié)果,幅度相對(duì)誤差小于10%,相位絕對(duì)誤差小于5度。
【作者單位】： 電子科技大學(xué)極高頻復(fù)雜系統(tǒng)國防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： GaN工藝 螺旋電感 等效電路模型 可縮放模型
【分類號(hào)】：TM55;TN402
【正文快照】： 引言平面螺旋電感作為基本的電路模塊被廣泛的應(yīng)用在射頻電路器件中,如混頻器,倍頻器等,其性能的好壞左右著成品器件的性能。通常,電路的仿真設(shè)計(jì)中,螺旋電感會(huì)采用等效電路的形式進(jìn)行替代,在不影響電感精度的前提下以減少如HFSS等電磁場(chǎng)仿真工具的仿真時(shí)間,提高仿真效率,便于

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：515318