本文關鍵詞：一種高溫段曲率補償基準電壓源的設計，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：在傳統(tǒng)電流型帶隙基準源的基礎上,設計了一種高溫段曲率補償基準電壓源。利用工作在亞閾值區(qū)的PMOS晶體管的漏電流與柵源電壓的指數(shù)關系產生非線性補償電流,對溫度特性曲線的高溫段進行補償。采用0.18μm標準CMOS工藝對電路進行設計與仿真,結果顯示輸出基準電壓為600mV,1kHz下的電源電壓抑制比為-55.5dB,在-40℃~125℃溫度范圍內的溫度系數(shù)為2.26×10~(-6)/℃。
【作者單位】： 西安交通大學電子與信息工程學院;模擬集成電路重點實驗室;
【關鍵詞】： 帶隙基準 曲率補償 亞閾值區(qū) 溫度系數(shù)
【基金】：模擬集成電路重點實驗室基金資助項目(9140C090111150C09041)
【分類號】：TN402
【正文快照】： 1引言帶隙基準電壓源作為現(xiàn)代模擬集成電路、數(shù)�；旌想娐返闹匾M成部分,被廣泛應用于電壓調整器、集成傳感器、A/D和D/A轉換器等電路中,為電路的其他模塊提供與溫度、工藝、電源無關的基準電壓[1]。因此,帶隙基準電壓源的精度影響著整個電路的性能。隨著微電子技術的發(fā)展及

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1 沙占友;;基準電壓源的應用[J];集成電路應用;1991年04期

2 紀宗南;;可編程的基準電壓源[J];集成電路應用;1993年01期

3 任新明;精密基準電壓源電壓的擴展應用[J];電測與儀表;1994年06期

4 袁文師,吳建輝;基準電壓源設計[J];半導體技術;2004年04期

5 張國華;;基準電壓源的設計與選用[J];電子制作;2005年02期

6 張家川;劉伯安;;新型低電壓能隙基準電壓源[J];半導體技術;2006年08期

7 張京英;吳建輝;;一種低溫漂基準電壓源的設計[J];青海師范大學學報(自然科學版);2008年01期

8 張正平;王成鶴;王永祿;張俊安;朱璨;沈曉峰;;一種帶數(shù)字校正的差分基準電壓源[J];微電子學;2009年01期

9 譚煒鋒;劉輝華;;一種新穎不帶電阻的基準電壓源電路設計[J];現(xiàn)代電子技術;2009年14期

10 舒梅;;基準電壓源[J];科技風;2010年13期

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1 四川 唐華淼 編譯;基準電壓源[N];電子報;2009年

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1 張純林;一款AC-DC電源管理芯片及系統(tǒng)的溫度特性分析與設計[D];電子科技大學;2014年

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6 王旃;基于標準數(shù)字CMOS工藝的高精度基準電壓源的研究[D];浙江大學;2002年

7 舒梅;CMOS集成基準電壓源設計[D];貴州大學;2009年

8 鄧愛枝;高精度低漂移集成電壓源研究[D];貴州大學;2009年

9 趙芳蘭;基于BICMOS工藝的高性能基準電壓源研究[D];西南交通大學;2006年

10 陳迎樂;全CMOS基準電壓源的設計與研究[D];河北大學;2008年

  本文關鍵詞：一種高溫段曲率補償基準電壓源的設計，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：510866