本文關(guān)鍵詞：瞬態(tài)電壓抑制二極管的概述和展望，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：文中基于推進(jìn)我國(guó)瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)自主研發(fā)能力的目的,通過調(diào)研TVS的發(fā)展歷程及近年的研究熱點(diǎn),綜述了TVS的制備工藝和主要結(jié)構(gòu)。同時(shí),介紹了TVS的工作機(jī)制和主要參數(shù),并重點(diǎn)描述了近年來國(guó)際上TVS在低壓低電容和低漏電流方面所取得的理論和技術(shù)突破。最后提出了TVS的低壓集成化等發(fā)展趨勢(shì)。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所中國(guó)科學(xué)院硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 瞬態(tài)電壓抑制二極管 TVS 研究現(xiàn)狀
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61404169;61404161)
【分類號(hào)】：TN31
【正文快照】： 瞬態(tài)電壓和浪涌常出現(xiàn)在在整機(jī)和系統(tǒng)中,造成整機(jī)和系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件被燒毀或擊穿。在半導(dǎo)體器件應(yīng)用早期,它們并沒有被重視,直到1961年貝爾實(shí)驗(yàn)室才開始進(jìn)行瞬態(tài)電壓對(duì)半導(dǎo)體器件損害的研究,工業(yè)上也是上世紀(jì)70年代才開始對(duì)此關(guān)注。1研究背景造成瞬態(tài)電壓和浪涌的原因主要

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 郭遠(yuǎn)東;李雪玲;;TVS管失效原因分析[J];環(huán)境技術(shù);2013年04期

2 肖敏;曾祥斌;袁德成;孫樹梅;;工藝參數(shù)對(duì)TVS器件電性能的影響[J];電力電子技術(shù);2007年06期

3 ;[J];;年期

  本文關(guān)鍵詞：瞬態(tài)電壓抑制二極管的概述和展望，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：498995