本文關(guān)鍵詞：碳化硅門極可關(guān)斷晶閘管的研究進(jìn)展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：由于SiC材料的理想特性使SiC門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)的發(fā)展受到廣泛關(guān)注。SiC GTO是一種用于控制大電流的高功率開關(guān)器件,具有開關(guān)速度高、功耗低以及控制電路的復(fù)雜程度低等優(yōu)點(diǎn),在高壓、高溫開關(guān)電路應(yīng)用中有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。闡述了近十幾年來(lái)SiC GTO的研究進(jìn)展,在介紹SiC GTO的等效模型和工作原理的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)介紹了SiC GTO在阻斷電壓、傳導(dǎo)電流、正向壓降和載流子壽命調(diào)控等方面的研究現(xiàn)狀,詳細(xì)討論了提高SiC GTO阻斷性能的5種不同的結(jié)終端技術(shù)和實(shí)現(xiàn)載流子壽命調(diào)控的具體方法,給出了典型SiC GTO器件的傳導(dǎo)電流和正向壓降,并對(duì)影響CTO性能的主要因素進(jìn)行了分析。同時(shí),對(duì)SiC GTO的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。
【作者單位】： 清華大學(xué)微電子學(xué)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅 門極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 結(jié)終端(JTE) 阻斷電壓 少子壽命
【分類號(hào)】：TN34
【正文快照】： 0引言門極可關(guān)斷晶閘管(gate turn-off thyristors,GTO)是一種用于控制大電流的功率開關(guān),其可以提高開關(guān)速度、降低功耗以及控制電路的復(fù)雜度,被廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)和軌道交通等領(lǐng)域。近年來(lái),由于微電子工藝技術(shù)的進(jìn)步和Si材料特性的限制,Si GTO器件的性能接近了其理論極限,已

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1 高玉民;非對(duì)稱晶閘管的阻斷電壓[J];西安理工大學(xué)學(xué)報(bào);1995年01期

  本文關(guān)鍵詞：碳化硅門極可關(guān)斷晶閘管的研究進(jìn)展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號(hào)：479461