本文關(guān)鍵詞：晶體管微波大信號(hào)模型的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：在微波功率器件中,晶體管微波大信號(hào)的研究,一直是人們關(guān)注的問(wèn)題。本文就對(duì)GaAsHEMT大信號(hào)進(jìn)行研究。首先建立了GaAsHEMT的大信號(hào)等效電路模型,對(duì)其中最重要的非線性元件Ids、Cgs、Cgd建立了理論模型,進(jìn)行了模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較,得到了較為滿意的結(jié)果。最后根據(jù)提取出的參數(shù),建立一種新的參數(shù)模型。該方法對(duì)設(shè)計(jì)MMIC有著很好的參考價(jià)值。
【作者單位】： 西南民族大學(xué)電氣信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 砷化鎵 模型 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
【分類號(hào)】：TN32
【正文快照】： 0 引言 隨著衛(wèi)星通信、相控陣?yán)走_(dá)和電子對(duì)抗等技術(shù)的發(fā)展,微波/毫米波器件及其電路的地位日漸提高,早己引起國(guó)際社會(huì)的極大關(guān)注。為了滿足MMIC的設(shè)計(jì)需要,應(yīng)該首先建立所用器件的大信號(hào)模型,然后利用微波電路CAD軟件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。精確的半導(dǎo)體器件大信號(hào)模型是進(jìn)行微波單片

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