發(fā)布時(shí)間：2017-06-14 09:10

  本文關(guān)鍵詞：IGBT極限功耗與熱失效機(jī)理分析，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的最大功耗是安全工作區(qū)的重要組成部分,與外部散熱裝置、內(nèi)部熱阻以及使用工況等有關(guān),而器件手冊(cè)給出的最大功耗是理想值,難以反映實(shí)際工況,若設(shè)計(jì)不當(dāng)會(huì)造成IGBT熱擊穿失效�；趯�(duì)IGBT功耗以及結(jié)-殼穩(wěn)態(tài)熱阻的溫度特性分析,通過(guò)聯(lián)立IGBT功耗的溫度曲線和結(jié)-殼傳熱功耗的溫度曲線進(jìn)行熱平衡分析,得到了結(jié)溫的熱穩(wěn)定點(diǎn)、非穩(wěn)定點(diǎn)以及臨界點(diǎn),由此得到了在臨界點(diǎn)處的IGBT極限功耗,對(duì)在非穩(wěn)定點(diǎn)時(shí)IGBT結(jié)溫和功耗間的正反饋關(guān)系分析了IGBT熱失效機(jī)理,最后進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
【作者單位】： 海軍工程大學(xué)艦船綜合電力技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;武漢船舶通信研究所;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 極限功耗 熱平衡 熱失效
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973計(jì)劃)(2013CB035601) 國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目(51490681)資助
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)是一種綜合了功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型功率晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低、控制電路簡(jiǎn)單及承受電流大等優(yōu)點(diǎn)[1]。自20世紀(jì)80年代出現(xiàn)

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2 張洪偉;夏泓;江理東;董宇亮;付琬月;;宇航元器件極限評(píng)估技術(shù)研究[J];電子元件與材料;2011年11期

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本文編號(hào)：449064