本文關鍵詞：壓縮應變載荷下氮化鎵隧道結微觀壓電特性及其巨壓電電阻效應，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：電子器件可控性研究在日益追求器件智能化和可控化的當今社會至關重要.基于第一性原理和量子輸運計算,本文研究了壓縮應變載荷對氮化鎵(Ga N)隧道結基態(tài)電學性質和電流輸運的影響,在原子尺度上窺視了氮化鎵隧道結的微觀壓電性,驗證了其內在的巨壓電電阻(GPR)效應.計算結果表明,壓縮應變載荷可以調節(jié)隧道結內氮化鎵勢壘層的電勢能降、內建電場、電荷密度和極化強度,進而實現(xiàn)對隧道結電流輸運和隧穿電阻的調控.在-1.0 V的偏置電壓下,-5%的壓縮應變載荷將使氮化鎵隧道結的隧穿電阻增至4倍.本研究展現(xiàn)了氮化鎵隧道結在可控電子器件中的應用潛力,也展現(xiàn)了應變工程在調控電子器件性能方面的光明前景.
【作者單位】： 中山大學物理科學與工程技術學院微納物理力學實驗室;中山大學光電材料與技術國家重點實驗室;中山大學中法核工程與技術學院;
【關鍵詞】： 應變調控 GaN隧道結 微觀壓電性 巨壓電電阻效應
【基金】：中國博士后科學基金(批準號:2014M552267) 高等學校博士學科點專項科研基金(批準號:20110171110022)資助的課題~~
【分類號】：TN304
【正文快照】： 結界面可以形成高濃度高遷移率的二維電子氣,廣1引言泛應用于高頻晶體管和場效應管中[5,6].Ga N已成為現(xiàn)代半導體研究熱點領域之一.21世紀以來,基于壓電效應和半導體效應的壓眾所周知,在材料和器件的生產、制備、組裝電電子學迅猛發(fā)展,2009年已被評為十大新興科技和加工應用過

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本文編號：440394