本文關(guān)鍵詞：0.13μm部分耗盡薄膜SOI MOSFETs擊穿特性研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：以0.13μm部分耗盡薄膜SOI器件為研究對象,簡要分析了體接觸器件和浮體器件基本特性,指出兩類器件擊穿特性的差異性,并重點討論了柵長、柵端偏壓和襯底偏壓等對器件擊穿特性的影響,闡明了擊穿特性的失效機理,為器件優(yōu)化和電路設(shè)計提供參考。
【作者單位】： 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣體上硅 擊穿 柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 體接觸 浮體效應(yīng)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 引言絕緣體上硅(Silicon on insulator,SOI)器件已經(jīng)得到廣泛的商業(yè)應(yīng)用。SOI因其具有埋氧層,結(jié)合淺溝槽隔離(Shallow trench isolation,STI)能夠?qū)崿F(xiàn)器件的全隔離,與傳統(tǒng)體硅工藝相比,具有面積更省的優(yōu)勢[1]。薄膜SOI能夠減小MOSFET器件源漏結(jié)電容,電路工作速度更快。針對薄

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本文編號：439395