本文關(guān)鍵詞：CdTe和CdZnTe電子結(jié)構(gòu)及成鍵機(jī)理的第一性原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用基于密度泛函理論的CASTEP程序軟件包,計(jì)算了CdTe和CdZnTe的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度,研究對(duì)比了CdTe和CdZnTe的分子內(nèi)成鍵機(jī)制。結(jié)果表明,在CdZnTe中,Cd e_g和Te 5s雜化形成較低的價(jià)帶,Zn t_(2g)和Te 5_(p_z)雜化形成的π鍵等構(gòu)成中間價(jià)帶,Zn 4s和Te 5_(p_z)雜化形成的σ鍵等構(gòu)成導(dǎo)帶。Cd 5s和Te 5s不再雜化,導(dǎo)帶底向高能級(jí)方向移動(dòng)。
【作者單位】： 北京石油化工學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院;北京化工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;北京理工大學(xué)光電學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： Cd Te Cd Zn Te 能帶結(jié)構(gòu) 態(tài)密度 電子結(jié)構(gòu)
【基金】：北京石油化工學(xué)院優(yōu)秀青年教師和管理骨干培育計(jì)劃項(xiàng)目(BIPT-BPOYTMB-2014) 國(guó)家自然科學(xué)基金(51401025)
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： (Received 28 September 2015,accepted 4 November 2015)1引言Cd Te和Cd Zn Te是近年發(fā)展起來的一類性能優(yōu)異的新型半導(dǎo)體材料,由于獨(dú)特的光電特性使他們廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管,太陽(yáng)能電池以及基于非線性光學(xué)材料特性的其他光學(xué)器件[1-3]。Cd Te和Cd Zn Te的電子結(jié)構(gòu)特性及成

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1 郝曉勇;;CdZnTe化合物半導(dǎo)體探測(cè)器[J];中國(guó)原子能科學(xué)研究院年報(bào);2006年00期

2 梁小燕;閔嘉華;王長(zhǎng)君;桑文斌;顧瑩;趙岳;周晨瑩;;Au/CdZnTe電極接觸的熱處理優(yōu)化工藝(英文)[J];稀有金屬材料與工程;2009年12期

3 侯清潤(rùn)，王金義，鄧金誠(chéng)，杜冰，李美蓉，常米;CdZnTe Crystal Growth by Vertical Gradient Freezing Method[J];RARE METALS;1995年03期

4 李萬萬,桑文斌,閔嘉華,郁芳,張斌,王昆黍,曹澤淳;垂直布里奇曼法生長(zhǎng)CdZnTe晶體時(shí)坩堝下降速度的優(yōu)化研究[J];無機(jī)材料學(xué)報(bào);2004年04期

5 張鵬舉,趙增林,胡贊東,萬銳敏,岳全齡,王曉薇,姬榮斌;Cd氣氛退火對(duì)CdZnTe晶片質(zhì)量影響[J];紅外技術(shù);2005年05期

6 閔嘉華;桑文斌;劉洪濤;錢永彪;滕建勇;樊建榮;李萬萬;張斌;金瑋;;熱處理方法改善CdZnTe晶體性能研究(英文)[J];稀有金屬材料與工程;2007年03期

7 王濤;俞鵬飛;徐亞東;查鋼強(qiáng);傅莉;介萬奇;;CdZnTe晶體光致發(fā)光譜“負(fù)熱淬滅”現(xiàn)象研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2010年01期

8 徐亞東;何亦輝;王濤;查鋼強(qiáng);傅莉;介萬奇;;探測(cè)器級(jí)CdZnTe晶體變溫特性研究[J];功能材料;2011年03期

9 ;Size and distribution of Te inclusions in detector-grade CdZnTe ingots[J];Progress in Natural Science:Materials International;2011年01期

10 曾冬梅;周海;盧一民;楊英歌;;濺射功率對(duì)CdZnTe薄膜成分和結(jié)構(gòu)的影響[J];功能材料;2011年09期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 蔡明生;郭建華;;CdZnTe陣列研究的最新進(jìn)展[A];第二十三屆全國(guó)空間探測(cè)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文摘要集[C];2010年

2 陳俊;朱世富;趙北君;高德友;魏昭榮;李含冬;韋永林;唐世紅;;CdZnTe晶體(111)面、(110)面和(100)面的蝕坑形貌觀察[A];第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅱ[C];2004年

3 李霞;褚君浩;李隴遐;張福甲;;影響CdZnTe探測(cè)器特性的因素[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

4 介萬奇;;CdZnTe晶體中的結(jié)構(gòu)缺陷[A];第七屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（第7分冊(cè)）[C];2010年

5 韋永林;朱世富;趙北君;王瑞林;高德友;魏昭榮;李含冬;;CdZnTe晶體的陷阱能級(jí)分析[A];中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2003年

6 王寧;張文瓏;劉洋;查鋼強(qiáng);王濤;徐亞東;介萬奇;;CdZnTe高能射線探測(cè)材料與器件研究[A];第十六屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（上冊(cè)）[C];2012年

7 陳繼權(quán);孫金池;李陽(yáng)平;劉正堂;;CdZnTe晶體歐姆接觸電極的制備工藝研究[A];第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅲ[C];2004年

8 張凱;張萬昌;丁洪林;孫亮;郝曉勇;孟欣;;CDG-CdZnTe核輻射探測(cè)器的研制[A];第十五屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2010年

9 丁洪林;申越;吳喜泉;;CdZnTe探測(cè)器在科學(xué)研究和核技術(shù)應(yīng)用中的作用和地位[A];全國(guó)第五屆核儀器及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2005年

10 王光祺;李紅日;程翠然;曹雪朋;張偉;羅杰;鄧智;;基于ASIC的CdZnTe像素探測(cè)器的研制[A];第十六屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（上冊(cè)）[C];2012年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前6條

1 查鋼強(qiáng);CdZnTe單晶表面、界面及位錯(cuò)的研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2007年

2 黎淼;面元像素CdZnTe高能輻射探測(cè)器原理、系統(tǒng)及特性研究[D];重慶大學(xué);2012年

3 汪曉芹;CdZnTe晶片表面化學(xué)處理及歐姆接觸特性的研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2006年

4 盛鋒鋒;CdZnTe材料缺陷特性及熱處理技術(shù)研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（上海技術(shù)物理研究所）;2014年

5 徐凌燕;CdZnTe晶體中的深能級(jí)缺陷及其對(duì)光電性能的影響[D];西北工業(yè)大學(xué);2014年

6 李巖;碲鋅鎘晶片高效低損傷加工工藝的研究[D];大連理工大學(xué);2010年

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1 潘松海;鋁誘導(dǎo)CdZnTe多晶薄膜的制備及物理特性研究[D];北京化工大學(xué);2013年

2 張興剛;CdZnTe半導(dǎo)體探測(cè)器電極研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2006年

3 伍順發(fā);CdZnTe晶體分離結(jié)晶界面形狀計(jì)算及穩(wěn)定性分析[D];重慶大學(xué);2008年

4 李輝;采用壓縮坩堝自由空間方法提高CdZnTe晶體性能的研究[D];上海大學(xué);2012年

5 陳繼權(quán);CdZnTe晶體歐姆接觸薄膜電極的制備工藝與性能研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2004年

6 陳俊;CdZnTe晶體的表面處理和鈍化研究[D];四川大學(xué);2006年

7 孫金池;Cu/Ag合金薄膜用作CdZnTe探測(cè)器電極的研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2005年

8 李鋒;CdZnTe探測(cè)器在X射線熒光分析中的應(yīng)用研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2005年

9 文錦雄;常重力條件下分離結(jié)晶法制備CdZnTe晶體的全局?jǐn)?shù)值分析[D];重慶大學(xué);2012年

10 黃平;利用88-100keV能區(qū)CdZnTe能譜測(cè)定鈾富集度[D];中國(guó)原子能科學(xué)研究院;2003年

  本文關(guān)鍵詞：CdTe和CdZnTe電子結(jié)構(gòu)及成鍵機(jī)理的第一性原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號(hào)：437071