發(fā)布時(shí)間：2017-06-08 01:06

  本文關(guān)鍵詞：多次透射反射紅外光譜法靈敏和準(zhǔn)確地測(cè)量單晶硅中間隙氧和代位碳的含量（英文），由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：建立了室溫下使用多次透射反射紅外光譜法(MTR-IR)測(cè)量單晶硅中間隙氧和代位碳含量的新紅外光譜吸收方法,在理論和實(shí)驗(yàn)上證明了MTR-IR優(yōu)于常規(guī)使用的單次垂直透射紅外(IR)吸收測(cè)量方法。與IR法相比較,MTR-IR法的優(yōu)點(diǎn)為:(1)間隙氧在1 107 cm-1處和代位碳在605 cm-1處的吸收峰與MTR-IR法中紅外光透過(guò)硅片的的次數(shù)N(6~12)成線性增加的正比例關(guān)系,因此單晶硅中間隙氧和代位碳含量的檢測(cè)限至少比IR法低一個(gè)數(shù)量級(jí);(2)MTR-IR法測(cè)量薄硅片如0.2 mm的厚度時(shí)產(chǎn)生的干涉條紋強(qiáng)度是單次垂直透射紅外吸收法(IR)的1/23、是單次Brewster角透射紅外吸收法的1/11;(3)單次垂直透射紅外吸收法(IR)1次只測(cè)量樣品上的1個(gè)點(diǎn),MTR-IR法則在更長(zhǎng)的樣品上1次測(cè)量多個(gè)樣品點(diǎn),每次測(cè)量更具有代表性。理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證實(shí)了MTR-IR吸收法測(cè)量晶體硅中間隙氧和代位碳雜質(zhì)含量的高靈敏度、可靠性和重復(fù)性。
【作者單位】： 配位化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 多次透射反射 紅外 間隙氧 代位碳
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(No.2013CB922101) 國(guó)家自然科學(xué)基金(No.91027019)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN304.12;O657.33
【正文快照】： 0 IntroductionSilicon-based semiconductor industry,as amiracle in the human beings history,continues todevelop at considerably high growth rates already forhalf a century.Recently,solar energy has beenrecognized in common as an alternative sustainableene

  本文關(guān)鍵詞：多次透射反射紅外光譜法靈敏和準(zhǔn)確地測(cè)量單晶硅中間隙氧和代位碳的含量（英文），，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：430849