本文關(guān)鍵詞：串聯(lián)晶閘管的同步觸發(fā)技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：晶閘管雖然通流能力強(qiáng),但是耐壓普遍不高,為了實(shí)現(xiàn)晶閘管的串聯(lián)使用,利用MOSFET的快導(dǎo)通和通流能力強(qiáng)的特性,搭建了一套能夠?qū)崿F(xiàn)光纖控制多只晶閘管同步導(dǎo)通的強(qiáng)觸發(fā)平臺(tái)。以4只2.5 kV耐壓晶閘管串聯(lián)為例,在實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上研究了觸發(fā)電流峰值和前沿對晶閘管導(dǎo)通特性的影響,提出了間接光觸發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和晶閘管同步性實(shí)驗(yàn)的一般性方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在工作電壓確定的情況下,晶閘管的觸發(fā)時(shí)延與門極觸發(fā)電流有關(guān),觸發(fā)電流的峰值越大,前沿越陡,導(dǎo)通越快,觸發(fā)時(shí)延越小;觸發(fā)時(shí)延是可控的,可以通過調(diào)整觸發(fā)電流對串聯(lián)的各晶閘管進(jìn)行階梯型串聯(lián)實(shí)驗(yàn),逐步調(diào)整時(shí)延參數(shù)并實(shí)現(xiàn)4只晶閘管串聯(lián)的同步強(qiáng)觸發(fā)導(dǎo)通(對于微秒級(jí)導(dǎo)通過程,觸發(fā)的同步性控制在30 ns以內(nèi))。改進(jìn)后的間接光觸發(fā)系統(tǒng)和強(qiáng)觸發(fā)技術(shù),能有效地改善晶閘管的導(dǎo)通特性和同步性,對擴(kuò)大晶閘管在脈沖功率中的應(yīng)用具有重要意義。
【作者單位】： 西安交通大學(xué)電力設(shè)備電氣絕緣國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 晶閘管 串聯(lián) 強(qiáng)觸發(fā) 同步導(dǎo)通 延時(shí) 光纖
【正文快照】： 0引言1晶閘管具有易于控制、體積小、通流能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)[1-3],國內(nèi)應(yīng)用較成熟,尤其在高壓直流輸電領(lǐng)域[4-8],但是在脈沖功率領(lǐng)域的應(yīng)用還比較少[9-10]。受晶閘管制作工藝的限制,目前主流晶閘管單只耐壓普遍不高,斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓2.5~3 k V,而耐——受更高電壓的晶閘管通常單

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本文編號(hào)：420055