本文關(guān)鍵詞：物理型硬件木馬失效機(jī)理及檢測(cè)方法，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：對(duì)兩種物理型硬件木馬造成芯片退化或失效的機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)分析.通過(guò)使用ATLAS二維器件仿真系統(tǒng)并結(jié)合Smart Spice電路邏輯仿真器,模擬了兩種物理型硬件木馬對(duì)反相器邏輯電路輸出特性的影響.使用ATHENA工藝仿真系統(tǒng)模擬了摻雜離子注入工藝過(guò)程,實(shí)現(xiàn)了摻雜型硬件木馬的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)器件;使用熱載流子注入退化模型對(duì)ATLAS仿真器件進(jìn)行熱載流子壓力測(cè)試,以模擬熱載流子注入型硬件木馬注入MOSFET器件并造成器件退化失效的過(guò)程,分別將上述摻雜型硬件木馬和熱載流子注入型硬件木馬的MOSFET器件與另一個(gè)正常MOSFET器件組成同樣的反相器邏輯電路.反相器使用Spice邏輯電路仿真輸出DC直流、AC瞬態(tài)傳輸特性以研究物理型硬件木馬對(duì)電路輸出特性的影響.為了研究MOSFET器件的物理特性本身對(duì)硬件木馬的影響,在不同溫度不同寬長(zhǎng)比(W/L)下同樣對(duì)反相器進(jìn)行Spice電路邏輯輸出仿真.本文分析了離子摻雜工藝、熱載流子注入壓力測(cè)試形成的物理型硬件木馬隨壓力強(qiáng)度、溫度的變化對(duì)邏輯電路輸出特性的影響.通過(guò)結(jié)果對(duì)比分析得出了含有物理型硬件木馬的邏輯電路在DC直流輸出特性上的擾動(dòng)比AC瞬態(tài)傳輸特性更明顯的結(jié)論.因此,本文提出了一種針對(duì)物理型硬件木馬的檢測(cè)流程.同時(shí),該檢測(cè)流程是一種具有可操作性的檢測(cè)物理型硬件木馬的方法.
【作者單位】： 中國(guó)信息安全測(cè)評(píng)中心安全檢測(cè)處;
【關(guān)鍵詞】： 硬件木馬 熱載流子注入 器件退化 失效分析
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61402536)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN407
【正文快照】： 到現(xiàn)在,沒(méi)有任何基于側(cè)信道分析硬件木馬的技術(shù)1引言作為評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)或被認(rèn)定是評(píng)估對(duì)象的測(cè)試指導(dǎo)[8].對(duì)于邏輯級(jí)硬件木馬的檢測(cè),采用對(duì)芯片開(kāi)封、剖縮短開(kāi)發(fā)周期、整合優(yōu)勢(shì)技術(shù)、降低制造成本片等逆向工程后,再通過(guò)光學(xué)圖像識(shí)別系統(tǒng)(包括成為IC芯片制造全球化的主要?jiǎng)恿?隨著集

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 張炯,李瑞偉,錢(qián)偉;反向關(guān)態(tài)電流在熱載流子蛻變效應(yīng)研究中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1998年04期

2 高國(guó)平;曹燕杰;周曉彬;陳菊;;電路級(jí)熱載流子效應(yīng)仿真研究[J];電子與封裝;2014年04期

3 任紅霞,郝躍,許冬崗;N型槽柵金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管抗熱載流子效應(yīng)的研究[J];物理學(xué)報(bào);2000年07期

4 劉紅俠,郝躍,朱建綱;溝道熱載流子導(dǎo)致的 PDSOI NMOSFET's擊穿特性(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2001年08期

5 ;半導(dǎo)體物理[J];電子科技文摘;2006年01期

6 張文俊,沈文正,黃敞;SOI LDD MOSFET 的柵電流的模擬[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);1998年04期

7 ;半導(dǎo)體物理[J];電子科技文摘;2000年04期

8 陳學(xué)良,王自惠;非對(duì)稱(chēng)輕摻雜漏(LDD)MOSFET[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1990年02期

9 徐靜平,于軍;N_2O氮化n-MOSFET's低溫可靠性研究[J];華中理工大學(xué)學(xué)報(bào);1999年12期

10 游海龍;藍(lán)建春;范菊平;賈新章;查薇;;高功率微波作用下熱載流子引起n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性退化研究[J];物理學(xué)報(bào);2012年10期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 朱臻;;熱載流子應(yīng)力下金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶氫化n型多晶硅薄膜晶體管的場(chǎng)助產(chǎn)生漏電[A];蘇州市自然科學(xué)優(yōu)秀學(xué)術(shù)論文匯編(2008-2009)[C];2010年

2 張猛;王明湘;;金屬誘導(dǎo)橫向晶化N型多晶硅薄膜晶體管同步交流電應(yīng)力條件下的退化研究[A];蘇州市自然科學(xué)優(yōu)秀學(xué)術(shù)論文匯編(2008-2009)[C];2010年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 張衛(wèi)東;深亞微米MOS器件熱載流子效應(yīng)研究[D];西安電子科技大學(xué);1999年

2 陳勇;MOSFET熱載流子退化效應(yīng)的研究[D];電子科技大學(xué);2001年

3 馬麗娟;納米小尺寸MOSFET中熱載流子效應(yīng)研究[D];南京大學(xué);2014年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 韓鵬宇;RF LDMOS器件設(shè)計(jì)優(yōu)化及熱載流子效應(yīng)研究[D];電子科技大學(xué);2014年

2 陸毅;抗熱載流子效應(yīng)的工藝及器件結(jié)構(gòu)研究[D];上海交通大學(xué);2009年

3 朱臻;金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶n型多晶硅薄膜晶體管熱載流子應(yīng)力下漏電特性及機(jī)制研究[D];蘇州大學(xué);2007年

4 王彬;集成電路熱載流子失效預(yù)警技術(shù)研究[D];華南理工大學(xué);2014年

5 呂志娟;多晶硅薄膜晶體管可靠性研究及其模擬[D];江南大學(xué);2008年

6 饒偉;深亞微米LDD MOSFET器件熱載流子效應(yīng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

7 褚蕾蕾;異質(zhì)柵MOS熱載流子效應(yīng)的研究[D];安徽大學(xué);2010年

8 馮志剛;I/O PMOSFET熱載流子損傷機(jī)理研究[D];上海交通大學(xué);2008年

9 邢德智;超深亞微米NMOSFET中的熱載流子效應(yīng)[D];西安電子科技大學(xué);2007年

10 陳慶;應(yīng)變硅MOSFET熱載流子研究[D];西安電子科技大學(xué);2011年

  本文關(guān)鍵詞：物理型硬件木馬失效機(jī)理及檢測(cè)方法，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

，

本文編號(hào)：416694