大功率LED封裝界面層裂對(duì)界面?zhèn)鳠嵝阅艿挠绊懛治?/H1>
發(fā)布時(shí)間：2017-06-02 20:12
本文關(guān)鍵詞：大功率LED封裝界面層裂對(duì)界面?zhèn)鳠嵝阅艿挠绊懛治?/strong>，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】：對(duì)大功率LED封裝器件進(jìn)行了封裝界面層裂的熱仿真分析,在芯片粘結(jié)(DA)層上構(gòu)建了不同的界面層裂模型,探究了不同層裂形狀、位置及分布時(shí)界面層裂對(duì)芯片熱傳遞的影響規(guī)律。結(jié)果表明:隨著界面層裂面積的增加,LED芯片結(jié)溫以14℃/mm~2以上的速率增大,層裂面積達(dá)到36%時(shí),芯片最高溫度為68.68℃,相比無(wú)層裂時(shí)升高了9.8%;并且界面層裂處于DA層的下界面比上界面對(duì)芯片溫度分布影響更大;此外,針對(duì)同一界面的層裂缺陷,相對(duì)于邊緣位置和中心位置,封裝邊角位置的層裂對(duì)整體LED封裝熱傳輸能力的阻礙作用更明顯。
【作者單位】： 桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 大功率LED 芯片粘結(jié)層 界面層裂 有限元分析 熱仿真 傳熱性能
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助(No.51366003) 廣西研究生教育創(chuàng)新計(jì)劃資助(No.YCBZ2015037) 廣西中青年教師基礎(chǔ)能力提升項(xiàng)目資助(No.KY2016YB148)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光二極管,自1993年日本的中村修二運(yùn)用氮化鎵(Ga N)和銦氮化稼(In Ga N)開(kāi)發(fā)出了具有商業(yè)應(yīng)用價(jià)值的藍(lán)光LED以來(lái),LED逐步應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如信號(hào)通信、室內(nèi)照明、景觀照明、屏幕顯示和顯示背光等。LED具有節(jié)能,環(huán)保,高 【相似文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條
1 鐘禮君;楊道國(guó);蔡苗;;疊層QFN器件界面層裂失效研究[J];電子元件與材料;2009年10期
2 佘覺(jué)覺(jué),曹大年,王維明,昝育德,鄧惠芳,王建華,郁元桓;藍(lán)寶石-硅和尖晶石-硅界面層寬度的俄歇分析[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1984年06期
3 ;[J];;年期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條
1 胡更開(kāi);;微極界面層對(duì)復(fù)合材料面內(nèi)模量的影響[A];中國(guó)力學(xué)學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)大會(huì)'2005論文摘要集（下）[C];2005年
2 廉國(guó)選;李明軒;;粘滯固體滑移界面層的超聲測(cè)量[A];中國(guó)聲學(xué)學(xué)會(huì)2003年青年學(xué)術(shù)會(huì)議[CYCA'03]論文集[C];2003年
3 焦健;邱海鵬;王宇;李秀倩;鄒豪;;不同界面層體系對(duì)SiC_f/SiC復(fù)合材料性能影響的研究[A];第17屆全國(guó)復(fù)合材料學(xué)術(shù)會(huì)議（陶瓷基、C/C 及金屬基復(fù)合材料分論壇）論文集[C];2012年
4 岳彥美;徐凱宇;;界面層對(duì)多鐵性圓柱涂層纖維復(fù)合材料磁電效應(yīng)的影響[A];中國(guó)力學(xué)大會(huì)——2013論文摘要集[C];2013年
5 鄒振祝;王旭躍;馮文杰;李春雨;;界面層理論的最新進(jìn)展[A];第七屆全國(guó)結(jié)構(gòu)工程學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（第Ⅰ卷）[C];1998年
6 郝剛領(lǐng);韓福生;吳杰;王清周;;利用界面層提高多孔鋁阻尼能力的一種新方法[A];第八屆全國(guó)內(nèi)耗與力學(xué)譜會(huì)議論文集[C];2006年
7 郜海蓮;于文靜;霍川;祝賀;李鑫晶;劉金峰;;復(fù)合材料有限元模型中界面對(duì)單元承載力的影響[A];北京力學(xué)會(huì)第17屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2011年
8 白亦真;金曾孫;王春蕾;姜志剛;呂憲義;鄒廣田;;金剛石厚膜界面層結(jié)構(gòu)研究[A];第三屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1998年
中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條
1 蔡平;采用陰極界面修飾提高聚合物太陽(yáng)電池性能的研究[D];華南理工大學(xué);2015年
2 林逢源;聚合物太陽(yáng)能電池陰極界面層及透明電極的研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所);2015年
3 閆興武;基于新型有機(jī)界面層的OPV電池結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能提高的研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所);2015年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
1 王火明;剛?cè)嵝月访娼缑鎸訌?qiáng)度特性研究[D];重慶交通大學(xué);2008年
2 趙琰;低溫固體間接觸界面層熱阻的理論與實(shí)驗(yàn)研究[D];華中科技大學(xué);2007年
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本文編號(hào)：416414
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【摘要】：對(duì)大功率LED封裝器件進(jìn)行了封裝界面層裂的熱仿真分析,在芯片粘結(jié)(DA)層上構(gòu)建了不同的界面層裂模型,探究了不同層裂形狀、位置及分布時(shí)界面層裂對(duì)芯片熱傳遞的影響規(guī)律。結(jié)果表明:隨著界面層裂面積的增加,LED芯片結(jié)溫以14℃/mm~2以上的速率增大,層裂面積達(dá)到36%時(shí),芯片最高溫度為68.68℃,相比無(wú)層裂時(shí)升高了9.8%;并且界面層裂處于DA層的下界面比上界面對(duì)芯片溫度分布影響更大;此外,針對(duì)同一界面的層裂缺陷,相對(duì)于邊緣位置和中心位置,封裝邊角位置的層裂對(duì)整體LED封裝熱傳輸能力的阻礙作用更明顯。
【作者單位】： 桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 大功率LED 芯片粘結(jié)層 界面層裂 有限元分析 熱仿真 傳熱性能
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助(No.51366003) 廣西研究生教育創(chuàng)新計(jì)劃資助(No.YCBZ2015037) 廣西中青年教師基礎(chǔ)能力提升項(xiàng)目資助(No.KY2016YB148)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光二極管,自1993年日本的中村修二運(yùn)用氮化鎵(Ga N)和銦氮化稼(In Ga N)開(kāi)發(fā)出了具有商業(yè)應(yīng)用價(jià)值的藍(lán)光LED以來(lái),LED逐步應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如信號(hào)通信、室內(nèi)照明、景觀照明、屏幕顯示和顯示背光等。LED具有節(jié)能,環(huán)保,高
【相似文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條
1 鐘禮君;楊道國(guó);蔡苗;;疊層QFN器件界面層裂失效研究[J];電子元件與材料;2009年10期
2 佘覺(jué)覺(jué),曹大年,王維明,昝育德,鄧惠芳,王建華,郁元桓;藍(lán)寶石-硅和尖晶石-硅界面層寬度的俄歇分析[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1984年06期
3 ;[J];;年期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條
1 胡更開(kāi);;微極界面層對(duì)復(fù)合材料面內(nèi)模量的影響[A];中國(guó)力學(xué)學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)大會(huì)'2005論文摘要集（下）[C];2005年
2 廉國(guó)選;李明軒;;粘滯固體滑移界面層的超聲測(cè)量[A];中國(guó)聲學(xué)學(xué)會(huì)2003年青年學(xué)術(shù)會(huì)議[CYCA'03]論文集[C];2003年
3 焦健;邱海鵬;王宇;李秀倩;鄒豪;;不同界面層體系對(duì)SiC_f/SiC復(fù)合材料性能影響的研究[A];第17屆全國(guó)復(fù)合材料學(xué)術(shù)會(huì)議（陶瓷基、C/C 及金屬基復(fù)合材料分論壇）論文集[C];2012年
4 岳彥美;徐凱宇;;界面層對(duì)多鐵性圓柱涂層纖維復(fù)合材料磁電效應(yīng)的影響[A];中國(guó)力學(xué)大會(huì)——2013論文摘要集[C];2013年
5 鄒振祝;王旭躍;馮文杰;李春雨;;界面層理論的最新進(jìn)展[A];第七屆全國(guó)結(jié)構(gòu)工程學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（第Ⅰ卷）[C];1998年
6 郝剛領(lǐng);韓福生;吳杰;王清周;;利用界面層提高多孔鋁阻尼能力的一種新方法[A];第八屆全國(guó)內(nèi)耗與力學(xué)譜會(huì)議論文集[C];2006年
7 郜海蓮;于文靜;霍川;祝賀;李鑫晶;劉金峰;;復(fù)合材料有限元模型中界面對(duì)單元承載力的影響[A];北京力學(xué)會(huì)第17屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2011年
8 白亦真;金曾孫;王春蕾;姜志剛;呂憲義;鄒廣田;;金剛石厚膜界面層結(jié)構(gòu)研究[A];第三屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1998年
中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條
1 蔡平;采用陰極界面修飾提高聚合物太陽(yáng)電池性能的研究[D];華南理工大學(xué);2015年
2 林逢源;聚合物太陽(yáng)能電池陰極界面層及透明電極的研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所);2015年
3 閆興武;基于新型有機(jī)界面層的OPV電池結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能提高的研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所);2015年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
1 王火明;剛?cè)嵝月访娼缑鎸訌?qiáng)度特性研究[D];重慶交通大學(xué);2008年
2 趙琰;低溫固體間接觸界面層熱阻的理論與實(shí)驗(yàn)研究[D];華中科技大學(xué);2007年
本文關(guān)鍵詞：大功率LED封裝界面層裂對(duì)界面?zhèn)鳠嵝阅艿挠绊懛治?/strong>，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào)：416414
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