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基于多量子阱結(jié)構(gòu)的高效紅光鈣鈦礦發(fā)光二極管的研究

發(fā)布時間:2025-02-05 17:02
  近年來,有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料由于其出色的光電性能受到了廣泛的關(guān)注。它同時具有發(fā)光峰位可調(diào)節(jié)、較高的載流子遷移率、較長的載流子擴(kuò)散距離、寬光譜吸收等特點(diǎn),因而在發(fā)光二極管(light emitting diode)和太陽能電池方面都存在很大的應(yīng)用前景。隨著對鈣鈦礦材料研究的不斷深入,多量子阱結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦材料目前已被多次應(yīng)用于高效率的鈣鈦礦發(fā)光二極管中,然而很少有報道指出其中的長鏈胺離子的選擇對其薄膜發(fā)光性能的影響。本論文以基于苯丁胺的多量子阱鈣鈦礦材料為主要研究對象,討論了其中長鏈胺的比例對材料光譜性質(zhì)造成的影響,獲得了高熒光量子效率的紅光鈣鈦礦薄膜,研究了其多量子阱結(jié)構(gòu)與能量轉(zhuǎn)移過程。然后通過與基于丁胺的多量子阱鈣鈦礦材料的形貌、結(jié)構(gòu)、光譜性質(zhì)進(jìn)行對比,指出長鏈胺的選擇會對多量子阱鈣鈦礦薄膜的n值分布、能量傳輸過程、非輻射復(fù)合通道等光譜性質(zhì)產(chǎn)生影響。并在此基礎(chǔ)上通過選擇器件中的各層材料和優(yōu)化鈣鈦礦LED(light emitting diode)器件,最終制備了高效率的紅光鈣鈦礦LED器件。

【文章頁數(shù)】:78 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖2.1鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖2.1鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖

2.1.1三維鈣鈦礦材料的基本結(jié)構(gòu)??鈣鈥礦材料是指一系列與鈦酸鈣(CaTi03)具有相同晶體結(jié)構(gòu)的材料,即原??子結(jié)構(gòu)符合ABX3的材料。圖2.1顯示的是三維鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的基本單元。⑴其中??A和B是陽離子,X是陰離子。結(jié)構(gòu)上B陽離子為中心離子,與周圍6個X陰??離子形成正八面體....


圖2.2常見12種鈣鈦礦容忍因子t及八面體因子u

圖2.2常見12種鈣鈦礦容忍因子t及八面體因子u

為立方相;反之當(dāng)溫度降低時,立方相會轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较。[6】由于三種晶相中立方??相對稱性最高也最穩(wěn)定,因此現(xiàn)在文獻(xiàn)中大部分鈣鈥礦材料組分的離子半徑都符??合立方相條件,圖2.2反映了常見12種鈣鈦礦材料的容忍因子t及八面體因子??u?的分布。[1]其中?Rma?為?2.18A,?R....


圖2.3銫鉛溴(CsPbBr3)三維鈣鈦礦材料納米片(NPLs)的XRD圖譜(綠??

圖2.3銫鉛溴(CsPbBr3)三維鈣鈦礦材料納米片(NPLs)的XRD圖譜(綠??

?50?60??圖2.4甲胺鉛溴(MAPbBn)鈣鈦礦材料的XRD圖譜(不停前驅(qū)物比例)。[lG】??Figure?2.4?XRD?patterns?of?MAPbBr3?layers?with?MABr:?PbBr2?=?1:?1.05,?1:1,?and??1.05:?l.[....


圖2.4甲胺鉛溴(MAPbBn)鈣鈦礦材料的XRD圖譜(不停前驅(qū)物比例)

圖2.4甲胺鉛溴(MAPbBn)鈣鈦礦材料的XRD圖譜(不停前驅(qū)物比例)

?70??20?(degree)??圖2.3銫鉛溴(CsPbBr3)三維鈣鈦礦材料納米片(NPLs)的XRD圖譜(綠??線)及其30倍放大圖(紫線)。[9]??Figure?2.3?XRD?pattern?of?CsPbBr3?NPLs?(up)?and?CsPbBr3?NPLs....



本文編號:4030158

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