半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的背景下,產(chǎn)品品質(zhì)的不斷提升,而桶式外延設(shè)備由于自身結(jié)構(gòu)特性,已不能適應(yīng)硅外延產(chǎn)品的發(fā)展現(xiàn)狀,特別是生產(chǎn)的6英寸產(chǎn)品基本無(wú)法滿足客戶的要求,因此此類設(shè)備面臨著被淘汰的風(fēng)險(xiǎn)。為了挽救這些即將被報(bào)廢設(shè)備,本文對(duì)工藝原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入學(xué)習(xí)和研究,通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),最終解決了面臨的難題,充分利用設(shè)備的價(jià)值,開發(fā)了設(shè)備的潛力。本文的設(shè)計(jì)對(duì)推動(dòng)外延品質(zhì)的提升,促進(jìn)我國(guó)硅外延事業(yè)的發(fā)展都有著重要的意義。本文以硅外延產(chǎn)品為研究對(duì)象,主要研究工作包括兩個(gè)方面:針對(duì)規(guī)模生產(chǎn)出現(xiàn)的電阻率一致性不好的問(wèn)題,進(jìn)行了研究分析,特別是在生長(zhǎng)溫度方面,通過(guò)研究理論知識(shí)和離子注入片的特性,選擇了用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ㄒ种茰囟确植嫉牟痪鶆?并設(shè)計(jì)出了不同的方案,找到最優(yōu)結(jié)果,優(yōu)化了生長(zhǎng)溫度。針對(duì)厚度一致性不好的問(wèn)題進(jìn)行分析,重點(diǎn)研究了氣體流量的原理,對(duì)比設(shè)備的環(huán)向氣流與縱向氣流對(duì)系統(tǒng)的影響,找出差別,通過(guò)設(shè)計(jì),最終優(yōu)化了氣體流量。文中的所有設(shè)計(jì)都是在現(xiàn)有工藝無(wú)法解決的前提下,從設(shè)備方向入手,找出這些設(shè)備本身的缺陷,通過(guò)改變固有的結(jié)構(gòu),創(chuàng)新性地使用不同材料和組成方式實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。最后將設(shè)計(jì)的方案實(shí)物化,并將其運(yùn)用在...

【文章頁(yè)數(shù)】：52 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-1硅外延設(shè)備示意圖(1)反應(yīng)器：材質(zhì)大部分為石英制品，它的構(gòu)造發(fā)展過(guò)程是由開始的臥式逐步演變?yōu)楝F(xiàn)的立式和桶式。其中臥式結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是石英管（如今大部分為了改良一致性使用矩形）擺放時(shí)與水平面平行，用來(lái)擺放襯底的石墨基座表層包裹了一層碳化硅材質(zhì)的涂層，與

圖2-2PE-2061結(jié)構(gòu)圖外延爐，這種外延爐能非常好的解決厚度和電阻率均勻性的問(wèn)題，特產(chǎn)品，并且降低了因意外事故造成的經(jīng)濟(jì)損失，隨著微電子工業(yè)的發(fā)[11]

圖2-3紅外反射示意圖δ=（AB+BC）-AD=2Tcos；度；

對(duì)電阻率均勻性的影響是顯著的，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，每當(dāng)溫度改變4到5℃，將引起化量。因腔體內(nèi)的溫度分布無(wú)法直接測(cè)量，為確定在PE-2061的成熟工藝配存在一致性不好的問(wèn)題，影響到電阻率的均勻性，于是借用了離子注入片進(jìn)行離子注入，就是將摻雜物質(zhì)電離，然后在靜電場(chǎng)中加速，使摻雜元素的....

本文編號(hào)：4011123