隨著電子信息技術(shù)向高速、低耗、寬帶、集成化發(fā)展,一體化低溫共燒陶瓷(LTCC:Low Temperature Co-firing Ceramic)系統(tǒng)級封裝及無源集成器件成為解決4G/5G手機(jī)和基站電子器件的必然選擇。如何突破電子材料的截止頻率上限,如何解決LTCC生瓷料帶工藝中多層磁性鐵氧體與電子陶瓷(電感與電容)之間的界面共燒結(jié),成為該領(lǐng)域急需解決的瓶頸技術(shù)問題。研發(fā)一種新型的LTCC電子材料,使其在同一頻率域既可做電感器材料,又可做電容器材料,同時具有比較低的介電損耗和磁損耗,把這樣一種LTCC材料稱之為復(fù)合磁電雙性能LTCC材料。這種復(fù)合雙性能LTCC材料是目前突破高頻上限來實現(xiàn)超寬帶無源集成器件的佼佼者,它通過鐵氧體與電子陶瓷雙相共存、離子互摻雜與替代、雙相晶面織構(gòu)生長而形成。如果在射頻段,可采取NiZnCu鐵氧體與BaTiO3電子陶瓷復(fù)合,以低熔點化合物做低溫?zé)Y(jié)助熔劑;如果在微波段,可采取旋磁鐵氧體與微波陶瓷復(fù)合,以低熔點玻璃做低溫?zé)Y(jié)助熔劑。新型雙性能材料既可突破射頻段手機(jī)無源集成器件的截止頻率上限,又可極大降低通信微波基站等器件的損耗,還可解決LTCC工藝中感性/容性...

【文章頁數(shù)】：145 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖2-1尖晶石鐵氧體晶體結(jié)構(gòu)示意圖[69]

第二章復(fù)合磁電雙性能材料相關(guān)理論研究11第二章復(fù)合磁電雙性能材料相關(guān)理論研究2.1NiCuZn鐵氧體相關(guān)理論2.1.1晶體結(jié)構(gòu)NiCuZn鐵氧體的晶體結(jié)構(gòu)是典型的尖晶石鐵氧體結(jié)構(gòu)，其化學(xué)通式為M2+Fe23+O4，其中M2+代表二價金屬離子，常見的有Ni、Mg、Zn、Mn等。Fe....

圖2-2鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖[70]

電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文16本論文后面實驗用到的BaTiO3和CaTiO3均是典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的化學(xué)通式為ABO3，屬于贗立方面心結(jié)構(gòu)，其原胞的結(jié)構(gòu)如圖2-2所示[70]。(a)(b)圖2-2鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖[70]。(a)晶胞結(jié)構(gòu)；(b)BO6八面體結(jié)構(gòu)從圖2-2(....

圖3-1燒結(jié)曲線

第三章低溫?zé)Y(jié)NiCuZn鐵氧體/BaTiO3復(fù)合雙性能材料研究19(a)(b)(c)圖3-1燒結(jié)曲線。(a)NCZF預(yù)燒曲線；(b)BTO預(yù)燒曲線；(c)復(fù)合雙性能材料燒結(jié)曲線(a)(b)圖3-2NCZF預(yù)燒粉和BTO預(yù)燒粉的XRD圖譜。(a)NCZF預(yù)燒粉XRD圖譜；(b)B....

圖3-2NCZF預(yù)燒粉和BTO預(yù)燒粉的XRD圖譜

第三章低溫?zé)Y(jié)NiCuZn鐵氧體/BaTiO3復(fù)合雙性能材料研究19(a)(b)(c)圖3-1燒結(jié)曲線。(a)NCZF預(yù)燒曲線；(b)BTO預(yù)燒曲線；(c)復(fù)合雙性能材料燒結(jié)曲線(a)(b)圖3-2NCZF預(yù)燒粉和BTO預(yù)燒粉的XRD圖譜。(a)NCZF預(yù)燒粉XRD圖譜；(b)B....

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