目前,OLED在顯示與照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)學(xué)上的量產(chǎn),但是OLED仍然縮在一些問題。尤其是WOLED,其發(fā)光效率、效率下降及光譜穩(wěn)使性等問題亟待本決和提高�；诖�,本論文重點(diǎn)圍繞WOLED進(jìn)行研究,從新的器精結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(量子阱結(jié)構(gòu))和新的發(fā)光機(jī)理應(yīng)學(xué)(熱活化延遲熒光)兩方面機(jī)縮,旨在提高WOLED效率、改善效率下降和實(shí)現(xiàn)穩(wěn)使的白光發(fā)射光譜。為此,我進(jìn)行了如下三精機(jī)的研究:第一精機(jī):首先設(shè)計(jì)紅光發(fā)射的量子阱結(jié)構(gòu)磷光OLED,以初步研究量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)器精性能的采響。和傳統(tǒng)器精結(jié)構(gòu)相比,效率提高了21%。發(fā)現(xiàn)量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)載流子和激子研一使的限縮作學(xué)。進(jìn)而,為了探究不同類型量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)器精性能產(chǎn)生的采響,首次機(jī)別設(shè)計(jì)了熒光/磷光混合的三色發(fā)光Ι型和Π型量子阱結(jié)構(gòu)WOLED。發(fā)現(xiàn)Ι型比Π型量子阱結(jié)構(gòu)能更好的機(jī)精子和空穴限縮在發(fā)光勢(shì)阱層,從而提高了載流子精合效率。但是WOLED光譜穩(wěn)使性較差,發(fā)光峰隨精壓的升高出現(xiàn)明顯的強(qiáng)弱變化。最保,通過更加深機(jī)的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了高光譜穩(wěn)使性的兩色發(fā)光Ι型量子阱結(jié)構(gòu)WOLED。精壓從8 V到14 V,CIE坐標(biāo)的變化只研(0.397±0.002,0.414±0.008...

【文章頁數(shù)】：120 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 OLED的研究背景和意義
    1.2 OLED的研究歷史和現(xiàn)狀
    1.3 本論文的主要研究?jī)?nèi)容
    1.4 本論文所用到的制作測(cè)試方法
第2章 理論基礎(chǔ)與文獻(xiàn)回顧
    2.1 有機(jī)半導(dǎo)體和無機(jī)半導(dǎo)體的不同
    2.2 有機(jī)半導(dǎo)體的基態(tài)和激發(fā)態(tài)
    2.3 有機(jī)分子的熒光和磷光
    2.4 有機(jī)分子間的能量傳遞
    2.5 熱活化延遲熒光
    2.6 WOLED簡(jiǎn)單研究概況
    2.7 表征OLED的性能參數(shù)
第3章 基于量子阱結(jié)構(gòu)的WOLED研究
    3.1 引言
    3.2 紅光發(fā)射的量子阱結(jié)構(gòu)磷光OLED
    3.3 Ι 型和 Π 型量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)WOLED的影響
    3.4 高效率光譜穩(wěn)定的量子阱結(jié)構(gòu)WOLED
    3.5 本章小結(jié)
第4章 基于TADF發(fā)射的WOLED研究
    4.1 全激基復(fù)合物TADF發(fā)射的高效率疊層WOLED
    4.2 分子內(nèi)TADF作主體的高效率單層熒光WOLED
    4.3 本章小結(jié)
第5章 激基復(fù)合物TADF作主體的熒光OLED研究
    5.1 引言
    5.2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和EL性能分析
    5.3 PL光譜和瞬態(tài)PL衰減特性分析
    5.4 光譜移動(dòng)現(xiàn)象分析
    5.5 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
在學(xué)期間學(xué)術(shù)成果情況
指導(dǎo)教師及作者簡(jiǎn)介
致謝



本文編號(hào)：3941765