基于二維光子晶體能帶與缺陷結(jié)構(gòu)的管通信器件設(shè)計(jì)與研究
【文章頁(yè)數(shù)】:58 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1直角坐標(biāo)系中的Yee氏網(wǎng)格
Maxwell方程組求解其本征方程解的一在空間和時(shí)間上,將Maxwell方程組的方程轉(zhuǎn)化為差分方程,利用時(shí)間步長(zhǎng)插法可以解決光在傳播過程中的反射、散種基于Maxwell方程組的數(shù)值求解方法式在倒格矢空間進(jìn)行展開,將Maxwel到光子傳播的本征頻率,進(jìn)而得到光子結(jié)構(gòu)可以....
圖2.2完美匹配層PML提出至今,就已經(jīng)幾乎成為了求解電磁場(chǎng)邊界吸收的標(biāo)準(zhǔn)策略
0*0yxzxzyxzytxHEHty察上述方程,發(fā)現(xiàn)存在三種情況:當(dāng)**=0xyxy時(shí),式(2.18)可以看作的Maxwell方程組;當(dāng)=xy,**0xy時(shí),式(2.1....
圖3.1不同晶格的介質(zhì)柱型光子晶體(a)正方晶格;(b)三角晶格;(c)蜂窩晶格
3.1影響光子晶體帶隙的幾種結(jié)構(gòu)分析二維光子晶體結(jié)構(gòu)靈活多變,從材料的選取、晶格類型,到晶格常數(shù)、半徑大小等都會(huì)影響到整個(gè)結(jié)構(gòu)性能的優(yōu)劣,本文將進(jìn)一步研究晶格類型和孔、柱材質(zhì)對(duì)完整光子晶體結(jié)構(gòu)禁帶的影響。砷化鎵GaAs是一種半導(dǎo)體材料[68]。它禁帶寬度大,電子遷移率高,介....
圖3.2二維光子晶體能帶圖(a)正方晶格;(b)三角晶格;(c)蜂窩晶格能帶圖3.2(c)表明,蜂窩晶格結(jié)構(gòu)的光子晶體除了在TE模有一段較寬的0.283-0.367(a)帶隙之外,還出現(xiàn)了完全帶隙
圖3.2二維光子晶體能帶圖(a)正方晶格;(b)三角晶格;(c)蜂窩晶格能帶圖3.2(c)表明,蜂窩晶格結(jié)構(gòu)的光子晶體除了在TE模有一段較寬的0.283-0.367a)帶隙之外,還出現(xiàn)了完全帶隙。其中TE模禁帶范圍為0.573-0.631(a),TM....
本文編號(hào):3934287
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