發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 05:53

　　運(yùn)用改進(jìn)的無規(guī)元素等位移模型和玻恩-黃近似,結(jié)合介電連續(xù)模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱線的表面和界面光學(xué)聲子模。以GaAs/Al_xGa_1-xAs和Zn_xCd_1-xSe/ZnSe為例,獲得了表面和界面光學(xué)聲子模的色散關(guān)系以及表面和界面光學(xué)聲子模的頻率隨混晶組分和量子阱線結(jié)構(gòu)的變化關(guān)系。結(jié)果表明:與二元晶體量子阱線和三元混晶單量子線不同,在GaAs/Al_xGa_1-xAs和Zn_xCd_1-xSe/ZnSe量子阱線中分別存在十支和八支表面和界面光學(xué)聲子模,這些表面和界面光學(xué)聲子模的頻率曲線分別位于二元晶體和三元混晶的體縱、橫光學(xué)聲子之間的頻率區(qū)間內(nèi),且其能量隨混晶組分和量子阱線結(jié)構(gòu)的變化呈非線性變化,三元混晶的"單模"和"雙模"性也在色散曲線中體現(xiàn)了出來。

【文章頁數(shù)】：9 頁

【部分圖文】：

圖2橫截面長(zhǎng)和寬分別為d1=50nm,d2=80nm時(shí),三元混晶矩形量子阱線系統(tǒng)(a)GaAs/Al0.38Ga0.62As和(b)Zn0.25Cd0.75Se/ZnSe的表面和界面光學(xué)聲子模的色散曲線

Zn0.25Cd0.75Se/ZnSe量子阱線則屬于情況B。由圖2(b)可見,在波矢kz→0時(shí),模3和模1、5的頻率值分別為二元晶體ZnSe的體橫、縱光學(xué)聲子模的頻率ωTO和ωLO,模2、6、4、7、8的頻率值分別為三元混晶的體光學(xué)聲子頻率ω2L、ω2T、ω1L和ω1T,隨著波矢....

圖4三元混晶量子阱線系統(tǒng)(a)GaAs/Al0.38Ga0.62As和(b)Zn0.25Cd0.75Se/ZnSe的表面和界面光學(xué)聲子模的頻率隨阱層半寬度d1的變化關(guān)系

圖3波矢kz=2μm-1時(shí),三元混晶量子阱線系統(tǒng)(a)GaAs/AlxGa1-xAs和(b)ZnxCd1-xSe/ZnSe的表面和界面光學(xué)聲子模的頻率隨組分x的變化關(guān)系(實(shí)線),虛線和點(diǎn)虛線分別為相應(yīng)的二元晶體和三元混晶體材料的長(zhǎng)波縱、橫光學(xué)聲子的能量圖3畫出了在波矢kz=2μ....

圖1矩形量子阱線的幾何結(jié)構(gòu)

考慮一個(gè)含有極性三元混晶的準(zhǔn)一維矩形量子阱線,如圖1所示。在-d1<x<d1和-d1<y<d1區(qū)域內(nèi)為材料1,在-(d2-d1)<x<d2-d1和-(d2-d1)<y<d2-d1區(qū)域內(nèi)為材料2,最外邊的區(qū)域?yàn)檎婵?而在z方向是無限長(zhǎng)的。準(zhǔn)一維矩形量子阱線的表面和界面光學(xué)聲子�？捎�....

圖3波矢kz=2μm-1時(shí),三元混晶量子阱線系統(tǒng)(a)GaAs/AlxGa1-xAs和(b)ZnxCd1-xSe/ZnSe的表面和界面光學(xué)聲子模的頻率隨組分x的變化關(guān)系(實(shí)線),虛線和點(diǎn)虛線分別為相應(yīng)的二元晶體和三元混晶體材料的長(zhǎng)波縱、橫光學(xué)聲子的能量

在Zn0.25Cd0.75Se/ZnSe量子阱線系統(tǒng)中,模1-2和模5-6位于頻率區(qū)間ω2L-ωLO內(nèi),而模3-4和模7-8則分別位于ω2T-ωTO和ω1T-ω1L的頻率區(qū)間內(nèi)。其中ω2L-ωLO和ω2T-ωTO的頻率寬度分別為20cm-1和17cm-1,故模1-2、3-4和5-....

本文編號(hào)：3922995