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高頻MEMS陣列耦合諧振器相關(guān)性能研究

發(fā)布時(shí)間:2024-03-02 02:45
  現(xiàn)代無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展使得無(wú)線電頻譜資源比較匱乏,因此對(duì)于通信設(shè)備有了更為嚴(yán)格的要求。目前,對(duì)于易加工、重量輕、體積小、成本低、高品質(zhì)因數(shù)且易于集成的無(wú)源濾波器的研究也成為微波技術(shù)領(lǐng)域的熱點(diǎn)。隨著MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的快速發(fā)展,MEMS諧振器諧振頻率、濾波器的運(yùn)動(dòng)電阻、功率處理能力等參數(shù)已經(jīng)能夠達(dá)到無(wú)線通信的技術(shù)要求。與此同時(shí)研究表明耦合諧振器陣列有助于降低運(yùn)動(dòng)電阻、提高功率處理能力等。據(jù)此,本論文的主要研究?jī)?nèi)容包括:首先分析了圓盤(pán)諧振器陣列的排列方式及耦合梁的分布情況對(duì)MEMS陣列耦合諧振器性能的影響,得出諧振器陣列的布局方式并不會(huì)影響到諧振頻率,而陣列中耦合梁數(shù)目會(huì)對(duì)諧振頻率產(chǎn)生線性影響的結(jié)論。因此繼續(xù)仿真分析了陣列耦合圓盤(pán)個(gè)數(shù)對(duì)陣列諧振器的影響。結(jié)果表明由2個(gè)圓盤(pán)諧振器構(gòu)成陣列耦合諧振器時(shí),陣列整體諧振頻率相對(duì)于單圓盤(pán)諧振器會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大的偏移達(dá)231.9ppm,對(duì)于圓盤(pán)耦合陣列諧振器,耦合圓盤(pán)個(gè)數(shù)越多的情況下,單圓盤(pán)諧振器的增加或減少對(duì)耦合陣列整體諧振頻率的改變程度越小。也就是說(shuō)對(duì)于圓盤(pán)耦合陣列諧振器,耦合圓盤(pán)個(gè)數(shù)越多的情況下,單圓盤(pán)諧振器的個(gè)數(shù)變化對(duì)耦合陣列整體諧振...

【文章頁(yè)數(shù)】:69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.10平板諧振器示意圖

圖1.10平板諧振器示意圖

圖1.10平板諧振器示意圖諧振器最早由VTT實(shí)現(xiàn),如圖1.10所示、提高電容。VTT利用這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了第容及工作安排S諧振器陣列的相關(guān)性能,分析了MEMS的影響。并且設(shè)計(jì)了一種基于硅襯底空腔振器。最后,本文分析了DRIE工藝下的出一種半高型耦合梁設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。以....


圖2.3圓盤(pán)徑向振動(dòng)模態(tài)圖

圖2.3圓盤(pán)徑向振動(dòng)模態(tài)圖

盤(pán)每單位徑向位移對(duì)應(yīng)的輸入電極-圓盤(pán)間電容改表示為1()=01011=00102況下輸入電極與圓盤(pán)間的電容,即0=ε0πRh/d。數(shù)展開(kāi),表達(dá)式如下1=00(112233)1=20,....


圖2.8酒杯式盤(pán)諧振器振動(dòng)模態(tài)形變分布圖

圖2.8酒杯式盤(pán)諧振器振動(dòng)模態(tài)形變分布圖

19圖2.8酒杯式盤(pán)諧振器振動(dòng)模態(tài)形變分布圖振動(dòng)模態(tài)形變分布如圖2.8所示,從圖中可以看出運(yùn)動(dòng),是一種復(fù)合振動(dòng)模式,所以除了圓盤(pán)中心節(jié)意的是,酒杯式盤(pán)諧振器在振動(dòng)節(jié)點(diǎn)處位移為零。,使其具備更高的品質(zhì)因數(shù)[48],支撐梁通常被固定諧振頻率可以由振動(dòng)模式方程得到Ψ(/....


圖3.8耦合陣列諧振器不同排列方式對(duì)諧振頻率的影響

圖3.8耦合陣列諧振器不同排列方式對(duì)諧振頻率的影響

圖3.8耦合陣列諧振器不同排列方式對(duì)諧振頻率的影響,Mode1-Mode10排列方式下的陣列耦合諧振器諧振頻率數(shù)目開(kāi)始增多時(shí)(Mode10-Mode16),陣列耦合諧振器諧似線性變大。結(jié)果表明諧振器陣列的布局方式并不會(huì)影會(huì)對(duì)諧振頻率產(chǎn)生線性影響。因此在設(shè)計(jì)中可以參照工可通過(guò)....



本文編號(hào):3916206

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