隨著智能手機、電視和可穿戴設(shè)備的發(fā)展,顯示技術(shù)發(fā)揮著越來越重要的作用。薄膜晶體管(Thin-Film Transistor,TFT)是顯示技術(shù)核心器件。傳統(tǒng)的薄膜晶體管已經(jīng)無法滿足現(xiàn)代顯示技術(shù)的要求,銦鎵鋅氧薄膜晶體管(IGZO-TFT)具有高遷移率、透光率好等優(yōu)異性能,已經(jīng)成為國內(nèi)以維信諾為首的面板公司大力發(fā)展的技術(shù),并且對薄膜晶體管的質(zhì)量、性能都提出了更高的要求。利用IGZO薄膜作為溝道層制備出的薄膜晶體管具有特殊的優(yōu)點:透明性好、高載流子遷移率、在常溫下即可制備,由此開啟了新一代顯示技術(shù)的研究浪潮。本文主要研究了不同氧氬比對IGZO薄膜透光率和電學(xué)性能的影響,退火氣氛和溫度對IGZO-TFT性能的影響,界面修飾對IGZO-TFT性能的影響,為IGZO-TFT工業(yè)化應(yīng)用打下了基礎(chǔ)。通過研究IGZO薄膜的透光率,發(fā)現(xiàn)在不同氧氬比下制備出的IGZO薄膜,其透光率均在83%以上,這是由于在室溫下利用磁控濺射制備出的IGZO薄膜是非晶狀態(tài),能夠減少入射光的散射,并且因為IGZO薄膜表面光滑,對散射影響很小,所以在可見光范圍內(nèi),IGZO薄膜具有很好的透光效果。IGZO薄膜的透光率和光學(xué)禁帶寬...

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1幾種常見薄膜晶體管結(jié)構(gòu)

圖1.1幾種常見薄膜晶體管結(jié)構(gòu)1.2.3薄膜晶體管主要性能參數(shù)薄膜晶體管通常根據(jù)其輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線進行判斷[13]。如果想知道若干TFT器件特性的好壞，通常的做法就是比較轉(zhuǎn)移特性曲線。另外還有一種方法就是通過比較薄膜晶體管性能的參數(shù)來描述不同TFT器件的操....

圖1.2IGZOTFT結(jié)構(gòu)

圖1.2IGZOTFT結(jié)構(gòu)圖1.3透明薄膜晶體管實物07年，Hosono[38]團隊通過對Dirichlet分布分析并得到了IGZO的結(jié)構(gòu)們又從能帶理論探討了非晶銦鎵鋅氧載流子遷移的機理。得出這樣的結(jié)在非晶硅中摻雜氫而言，即使在非晶銦鎵鋅氧注入少量電子，銦....

圖1.3透明薄膜晶體管實物

圖1.2IGZOTFT結(jié)構(gòu)圖1.3透明薄膜晶體管實物07年，Hosono[38]團隊通過對Dirichlet分布分析并得到了IGZO的結(jié)構(gòu)們又從能帶理論探討了非晶銦鎵鋅氧載流子遷移的機理。得出這樣的結(jié)在非晶硅中摻雜氫而言，即使在非晶銦鎵鋅氧注入少量電子，銦....

圖1.4載流子傳輸路徑示意圖

1緒論空位，以控制薄膜中的電子濃度，抑制IGZO薄膜晶ZO薄膜形成四面體結(jié)構(gòu)，從而保持整個結(jié)構(gòu)有很薄膜的導(dǎo)電機理一種N型半導(dǎo)體材料，要研究IGZO薄膜的導(dǎo)電機理部電子輸運性能。非晶硅材料的導(dǎo)電通道是由sp3具有方向性，sp3雜化導(dǎo)致在載流子輸運的時候，會此，對....

本文編號：3911369