隨著電子封裝向高功率、高密度方向發(fā)展,互連結(jié)構(gòu)面臨著電遷移失效引發(fā)的器件可靠性問(wèn)題。傳統(tǒng)的仿真方法多數(shù)基于單個(gè)或者兩個(gè)物理場(chǎng)進(jìn)行的。以預(yù)測(cè)互連結(jié)構(gòu)中空洞出現(xiàn)的位置為目標(biāo),采用有限元方法,提出一種綜合考慮電場(chǎng)、溫度場(chǎng)、應(yīng)力場(chǎng)和原子濃度場(chǎng)完全耦合作用下獲得互連結(jié)構(gòu)中原子濃度的分布的仿真方法,預(yù)測(cè)原子濃度最小值處出現(xiàn)空洞。分別將該方法應(yīng)用于互連引線結(jié)構(gòu)和互連焊點(diǎn)結(jié)構(gòu),對(duì)比實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象,驗(yàn)證了該仿真方法的準(zhǔn)確性與可靠性,為集成電路設(shè)計(jì)的可靠性分析提供一種精準(zhǔn)的預(yù)測(cè)方法,并提出失效判據(jù)。

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圖6互連焊點(diǎn)中空洞出現(xiàn)位置[13]259-268

圖7互連焊點(diǎn)模擬中空洞出現(xiàn)位置

圖1SWEAT結(jié)構(gòu)

圖2互連焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)

本文編號(hào)：3888003