基于VO 2 的紅外熱輻射主動(dòng)調(diào)控材料及結(jié)構(gòu)研究
發(fā)布時(shí)間:2024-01-27 09:31
中紅外大氣窗口在紅外探測(cè)、紅外成像和輻射制冷領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。如何使紅外熱發(fā)射體在中紅外大氣窗口中具有可調(diào)控輻射、選擇性輻射等特性,成為了電磁超材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。同時(shí),隨著GST、VO2等相變材料的快速發(fā)展,使得以主動(dòng)方式調(diào)控超材料的電磁性能成為可能。本文基于磁諧振/駐波多模式耦合的超材料吸波機(jī)理,設(shè)計(jì)了基于VO2的紅外熱發(fā)射體,通過(guò)主動(dòng)調(diào)控的方式來(lái)展現(xiàn)特定中紅外大氣窗口的輻射切換,實(shí)現(xiàn)了類似紅外偽裝、紅外隱身的特殊物理效應(yīng)。本文的研究?jī)?nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)主要包含以下幾點(diǎn):(1)針對(duì)VO2薄膜的特點(diǎn)優(yōu)化了基于脈沖激光沉積法制備VO2薄膜的工藝,以及較厚VO2薄膜的制備方法。對(duì)VO2的熱致相變和電致相變進(jìn)行了系統(tǒng)的理論分析。通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了VO2的電致相變是由局部焦耳熱誘發(fā)。(2)基于紅外吸波超材料的設(shè)計(jì)思路設(shè)計(jì)了兩種熱輻射主動(dòng)調(diào)控超材料:一種是高溫814μm、低溫58μm吸收的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)低溫時(shí)在...
【文章頁(yè)數(shù)】:74 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 研究背景與意義
1.1.1 紅外熱輻射
1.1.2 紅外熱輻射超材料
1.2 紅外熱輻射領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀
1.2.1 紅外熱輻射相關(guān)技術(shù)
1.2.2 紅外熱輻射主動(dòng)調(diào)控超材料
1.3 本論文的主要工作與創(chuàng)新
1.4 本論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 熱輻射基本定理和超材料設(shè)計(jì)方法
2.1 紅外熱輻射基本理論
2.2 黑體輻射的基本定律
2.3 實(shí)際物體的輻射特性
2.3.1 漫射體、灰體與選擇性輻射體
2.3.2 Kirchhoff定律
2.4 紅外輻射測(cè)溫
2.5 紅外熱像儀的原理及使用方法
2.6 紅外吸波超材料的設(shè)計(jì)方法
2.6.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選則
2.6.2 有效媒質(zhì)理論
2.6.3 金屬和介質(zhì)的色散特性
2.6.4 磁諧振分析
2.6.5 駐波分析
2.7 本章小結(jié)
第三章 VO2薄膜的制備及其特性
3.1 VO2薄膜的制備
3.1.1 VO2的制備工藝
3.1.2 較厚VO2薄膜的制備工藝探究
3.2 VO2薄膜的溫變特性
3.3 VO2薄膜的電變特性
3.3.1 VO2電致相變特性的研究進(jìn)展
3.3.2 電致相變機(jī)理的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與分析
3.4 本章小結(jié)
第四章 紅外熱輻射超材料的設(shè)計(jì)與紅外熱成像實(shí)驗(yàn)的研究
4.1 紅外熱輻射超材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
4.1.1 VO2介質(zhì)層厚度的影響
4.1.2 Si介質(zhì)層厚度的影響
4.1.3 上表面偶極子的影響
4.1.4 雙層VO2的影響
4.1.5 低溫5-8μm吸收,高溫8-14μm吸收結(jié)構(gòu)
4.1.6 低溫8-14μm吸收,高溫5-8μm吸收結(jié)構(gòu)
4.2 實(shí)驗(yàn)流程和光刻工藝探索
4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
4.4 熱成像實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
4.4.1 紅外波段等效發(fā)射率的計(jì)算方法
4.4.2 基于不同工作波段的FLIR的熱成像實(shí)驗(yàn)的理論基礎(chǔ)
4.4.3 相變點(diǎn)附近的現(xiàn)象
4.4.4 室溫下的現(xiàn)象
4.4.5 實(shí)驗(yàn)誤差的分析及補(bǔ)償
4.5 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與研究展望
5.1 全文內(nèi)容總結(jié)
5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果
本文編號(hào):3886714
【文章頁(yè)數(shù)】:74 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
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第一章 緒論
1.1 研究背景與意義
1.1.1 紅外熱輻射
1.1.2 紅外熱輻射超材料
1.2 紅外熱輻射領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀
1.2.1 紅外熱輻射相關(guān)技術(shù)
1.2.2 紅外熱輻射主動(dòng)調(diào)控超材料
1.3 本論文的主要工作與創(chuàng)新
1.4 本論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 熱輻射基本定理和超材料設(shè)計(jì)方法
2.1 紅外熱輻射基本理論
2.2 黑體輻射的基本定律
2.3 實(shí)際物體的輻射特性
2.3.1 漫射體、灰體與選擇性輻射體
2.3.2 Kirchhoff定律
2.4 紅外輻射測(cè)溫
2.5 紅外熱像儀的原理及使用方法
2.6 紅外吸波超材料的設(shè)計(jì)方法
2.6.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選則
2.6.2 有效媒質(zhì)理論
2.6.3 金屬和介質(zhì)的色散特性
2.6.4 磁諧振分析
2.6.5 駐波分析
2.7 本章小結(jié)
第三章 VO2薄膜的制備及其特性
3.1 VO2薄膜的制備
3.1.1 VO2的制備工藝
3.1.2 較厚VO2薄膜的制備工藝探究
3.2 VO2薄膜的溫變特性
3.3 VO2薄膜的電變特性
3.3.1 VO2電致相變特性的研究進(jìn)展
3.3.2 電致相變機(jī)理的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與分析
3.4 本章小結(jié)
第四章 紅外熱輻射超材料的設(shè)計(jì)與紅外熱成像實(shí)驗(yàn)的研究
4.1 紅外熱輻射超材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
4.1.1 VO2介質(zhì)層厚度的影響
4.1.2 Si介質(zhì)層厚度的影響
4.1.3 上表面偶極子的影響
4.1.4 雙層VO2的影響
4.1.5 低溫5-8μm吸收,高溫8-14μm吸收結(jié)構(gòu)
4.1.6 低溫8-14μm吸收,高溫5-8μm吸收結(jié)構(gòu)
4.2 實(shí)驗(yàn)流程和光刻工藝探索
4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
4.4 熱成像實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
4.4.1 紅外波段等效發(fā)射率的計(jì)算方法
4.4.2 基于不同工作波段的FLIR的熱成像實(shí)驗(yàn)的理論基礎(chǔ)
4.4.3 相變點(diǎn)附近的現(xiàn)象
4.4.4 室溫下的現(xiàn)象
4.4.5 實(shí)驗(yàn)誤差的分析及補(bǔ)償
4.5 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與研究展望
5.1 全文內(nèi)容總結(jié)
5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果
本文編號(hào):3886714
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