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鉍系半導體光異質(zhì)結的界面構筑及其光電化學機理研究

發(fā)布時間:2024-01-26 20:16
  為了構建資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會,新型光電化學器件的研發(fā)近年來一直是人們研究的熱點;诠鈱W和電化學工作機制,將綠色無污染的太陽能轉化為電能和化學能,可用以制備氫能或?qū)崿F(xiàn)對有機和無機污染物的降解和檢測。值得注意的是,光電化學器件的研究重點之一便是其光電化學性能的提高,F(xiàn)有的大量報道表明,圍繞半導體材料的光學和電化學性質(zhì)構筑異質(zhì)結是提高光電化學性能的一種有效方法。本論文以三氧化鎢(WO3)納米板為基底材料,構筑了兩種含有鉍系半導體的光異質(zhì)結復合光電極,并對它們的光電化學機理進行了研究。主要的研究內(nèi)容如下:(1)基于一種簡便的化學浴沉積法,本次工作開發(fā)了一種在WO3納米板上原位生長氧硫化鉍(Bi10O6S9)納米片的工藝,得到了一種改進的復合光電極,從而進一步利用了Bi10O6S9納米薄膜的巨大的入射光電轉換效率,在這項工作中,通過將多維交錯的異質(zhì)結與陷光納米結構相耦合,形成了一種簡單的協(xié)同作用的光學異質(zhì)結結構?...

【文章頁數(shù)】:73 頁

【學位級別】:碩士

圖1.1半導體材料的光電化學機制Fig.1.1Photoelectrochemicalmechanismofsemiconductormaterials

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圖1.2不同類型的半導體異質(zhì)結的能帶示意圖

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圖1.3CN/BiOBr/ITO電極監(jiān)測TC的光電流產(chǎn)生機理示意圖

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圖1.4基于ITO/CdS-rGO納米復合材料的Cu2+離子傳感機理Fig.1.4MechanismforsensingCu2+ionsbasedonITO/CdS-rGOnanocomposites

圖1.4基于ITO/CdS-rGO納米復合材料的Cu2+離子傳感機理Fig.1.4MechanismforsensingCu2+ionsbasedonITO/CdS-rGOnanocomposites



本文編號:3885625

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