嘗試了利用絲束電極方法(wire beam electrode,WBE)對(duì)Cu-Cr,Ni-Cr系二元成分連續(xù)分布組合材料芯片的腐蝕電位、電偶電流密度等電化學(xué)性能進(jìn)行了高通量測(cè)試和表征,并與常規(guī)電化學(xué)方法(交流(AC)阻抗、電偶腐蝕實(shí)驗(yàn))的結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。絲束電極方法測(cè)試二元組合材料芯片的結(jié)果表明,對(duì)于Cu-Cr系二元組合材料芯片而言,隨著組合材料芯片中Cr含量的不斷增加,腐蝕電位不斷正移,電偶電流密度不斷減小,耐蝕性能增強(qiáng);對(duì)于Ni-Cr系二元組合材料芯片而言,隨著組合材料芯片中Cr含量的不斷增加,腐蝕電位不斷正移,耐蝕性能增強(qiáng)。同時(shí),電偶電流密度也隨著Cr含量的增加而增大,這主要與Cr含量較高的芯片區(qū)域中出現(xiàn)第二相有關(guān)。絲束電極方法在100 s內(nèi)就完成了對(duì)二元組合材料芯片的高通量電化學(xué)測(cè)量,且與常規(guī)電化學(xué)方法測(cè)試的結(jié)果一致,證明了絲束電極方法作為一種新的高通量電化學(xué)表征方法具有可行性。

【文章頁(yè)數(shù)】：10 頁(yè)

圖10Cu-Cr組合材料芯片浸泡在NaCl溶液前后的微觀形貌

圖8Cu-Cr組合材料芯片在0.1mol?L-1的NaCl溶液浸泡一定時(shí)間的腐蝕電位和電偶電流密度分布圖

圖9Ni-Cr組合材料芯片在0.1mol?L-1的NaCl溶液浸泡一定時(shí)間的腐蝕電位和電偶電流密度分布圖

圖64種不同組分Ni-Cr薄膜形成電偶對(duì)的電偶電流密度隨時(shí)間變化曲線圖

本文編號(hào)：3883340