為了實(shí)現(xiàn)三耦合線Marchand巴倫的快速設(shè)計(jì),縮小巴倫的尺寸,提出了一種簡(jiǎn)化的三耦合線Marchand巴倫等效模型及小型化設(shè)計(jì)方法。該等效模型將復(fù)雜的三耦合線的S參數(shù)散射矩陣的計(jì)算問(wèn)題簡(jiǎn)化為對(duì)兩個(gè)并聯(lián)的平行耦合線的S參數(shù)散射矩陣的計(jì)算。為了驗(yàn)證該模型和設(shè)計(jì)方法的有效性,采用0. 1μm砷化鎵pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工藝制作了一款75～110 GHz的單平衡混頻芯片,最終應(yīng)用于單平衡混頻器的巴倫耦合線長(zhǎng)度被縮減為中心頻率1/4波長(zhǎng)的44%。良好的混頻器性能和緊湊的芯片面積證明了所提三耦合線巴倫的等效模型和設(shè)計(jì)方法能夠?yàn)閱纹晌⒉娐沸酒脑O(shè)計(jì)提供指導(dǎo)作用。

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