相比傳統(tǒng)邊發(fā)射激光器,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)光束質量高、可靠性高,在激光雷達測距(LiDAR)領域有廣泛的應用前景。主要研究直插式TO(transistor outline)封裝VCSEL和裸芯片VCSEL在窄脈沖大電流條件下的發(fā)光特性,通過Pspice參數(shù)掃描分析結合實驗結果和理論計算,比較了兩種封裝激光器的雜散參數(shù)大小,并分析了其對激光器發(fā)光特性的影響。推導出了脈沖條件下VCSEL的功率轉換效率公式,并分析了雜散參數(shù)對VCSEL功率轉換效率的影響。

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【文章目錄】：
1 引 言
2 激光器及驅動電路簡介
3 電路仿真及結果討論
    3.1 封裝引入的雜散電感對放電回路的影響
    3.2 封裝引入的雜散電阻對放電回路的影響
4 不同封裝的VCSEL陣列脈沖實驗結果
5 分析與討論
    1) 對TO封裝的改進。
    2) 將放電回路部分集成一體,封裝于一個管座中。
    3) 采用倒裝結構的VCSEL進行密封封裝,并將其倒裝焊接在PCB電路板上。
6 結 論



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