準二維范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe₃同時具有本征磁性與半導體能帶結構,在光電子學和納米自旋電子學領域中具有廣泛的應用,近年來吸引了廣大科研工作者的興趣.利用超快太赫茲光譜技術,本文對準二維范德瓦耳斯鐵磁半導體CrSiTe₃進行了系統(tǒng)的研究,包括太赫茲時域光譜,光抽運-太赫茲探測光譜及太赫茲發(fā)射光譜.實驗結果表明,樣品的太赫茲電導率隨溫度的變化表現(xiàn)得十分穩(wěn)定,且樣品ab面對太赫茲波的響應呈現(xiàn)為各向同性; 800nm光抽運后的光生載流子表現(xiàn)為一種雙指數(shù)形式的弛豫變化,復光電導率可以用Drude-Smith模型很好地擬合,光載流子的弛豫過程由電子-空穴對的復合所主導;飛秒脈沖入射到樣品表面后可以產生太赫茲輻射,且具有0—2THz的帶寬.本文給出了CrSiTe₃在光學及太赫茲波段的光譜,為其在電子及光電子器件方面的設計和優(yōu)化提供了借鑒與參考.

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本文編號：3865010