發(fā)布時(shí)間：2023-10-29 19:57

　　采用脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)在GaN(002)上沉積非晶AlBN介質(zhì)薄膜。利用X射線衍射技術(shù)(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線光電子能譜(XPS)等技術(shù)分別對(duì)介質(zhì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、成分進(jìn)行表征,并采用導(dǎo)電原子力顯微鏡(CAFM)以及I-V等測(cè)試手段對(duì)不同厚度薄膜的電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果表明:不同厚度的AlBN介質(zhì)薄膜均為非晶,薄膜中B含量約為6.7%(原子分?jǐn)?shù))。厚度為3 nm和18 nm的AlBN介質(zhì)薄膜的表面粗糙度(R_q)分別為0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均勻,18 nm薄膜施加±10 V電壓時(shí),沒有出現(xiàn)明顯的漏電流。但在金屬-介質(zhì)-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)中,18 nm薄膜結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)較大漏電流,漏電流密度在-2 V時(shí)約為-2×10^-4 A/cm²。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)材料與方法
2 結(jié)果與分析
    2.1 結(jié)構(gòu)與成分表征
    2.2 電學(xué)性能表征
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3858765