首先分析了量子效率計算的相關(guān)理論,然后分析利用紅外中波In As/Ga SbⅡ類超晶格材料進行光伏探測器研制,在對器件進行電學(xué)性能測試及光譜響應(yīng)測試基礎(chǔ)上,利用理論分析和測試數(shù)據(jù)計算出研制器件的實際電流響應(yīng)率,再將實際電流響應(yīng)率與理論分析的電流響應(yīng)率相比,同時消除芯片表面Si O2鈍化層光學(xué)透過率的影響,計算出器件對紅外波段2⁶μm輻射響應(yīng)的量子效率最高可達35%,達到了國外同類型器件響應(yīng)的量子效率指標(biāo)。本文的研究為評價In As/Ga SbⅡ類超晶格紅外探測器的光電轉(zhuǎn)換性能提供了一種有效的方法。

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【文章目錄】：
0 引言
1 理論分析
2 器件研制分析
3 性能測試
4 量子效率計算分析
5 結(jié)論



本文編號：3837404