AlGaN/GaN HEMT熱存儲和電熱耦合可靠性研究
發(fā)布時間:2023-06-05 04:59
人類對高頻大功率領(lǐng)域微電子技術(shù)的需求催生了以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)和發(fā)展。GaN的優(yōu)異性能使其成為新型半導(dǎo)體材料中佼佼者。自上世紀90年代初人們制造出第一只AlGaN/GaN HEMT器件以來,經(jīng)過近30年的研究發(fā)展,GaN基HEMT器件已經(jīng)遍及人類生產(chǎn)生活的各個方面,但其可靠性問題依然突出,以自熱效應(yīng)、高溫、高場為代表的可靠性問題嚴重制約其進一步的發(fā)展和應(yīng)用。為此,文章利用仿真和實驗相結(jié)合的方法對AlGaN/GaN HEMT器件的自熱效應(yīng),高溫熱存儲和電熱耦合可靠性進行了研究。首先在了解HEMT工作原理的基礎(chǔ)上,利用Silvaco和COMSOL軟件仿真了器件的自熱效應(yīng),得到了器件內(nèi)部的溫度分布和參數(shù)變化。仿真結(jié)果表明使用藍寶石襯底的器件有非常嚴重的自熱效應(yīng),造成了器件直流特性和交流特性的衰退。使用SiC等高熱導(dǎo)率的襯底材料或倒裝芯片結(jié)構(gòu)能有效抑制器件的自熱效應(yīng)。然后對AlGaN/GaN HEMT實驗樣品進行了不同時間長度的熱存儲實驗。實驗結(jié)果表明熱存儲改善了器件的直流輸出和轉(zhuǎn)移特性,造成了器件漏極電流和跨導(dǎo)峰值的上升。通過對比熱存儲前后器件柵電容的變化可知熱存儲后溝道二...
【文章頁數(shù)】:81 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
符號對照表
縮略語對照表
第一章 緒論
1.1 GaN材料和AlGaN/GaN HEMT器件的研究進展
1.1.1 GaN材料的優(yōu)勢及其發(fā)展
1.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的研究進展
1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性問題及其研究現(xiàn)狀
1.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性問題
1.2.2 自熱效應(yīng),熱存儲和電熱耦合效應(yīng)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.3 本文的主要內(nèi)容和安排
第二章 AlGaN/GaN HEMT器件自熱效應(yīng)仿真研究
2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理
2.1.1 GaN材料的晶格結(jié)構(gòu)
2.1.2 極化效應(yīng)
2.1.3 二維電子氣
2.1.4 HEMT器件的基本結(jié)構(gòu)
2.2 AlGaN/GaN HEMT器件模型
2.3 自熱效應(yīng)仿真
2.3.1 自熱效應(yīng)對直流特性的影響
2.3.2 自熱效應(yīng)對交流特性的影響
2.3.3 不同襯底材料對自熱效應(yīng)的影響
2.3.4 倒裝結(jié)構(gòu)的仿真
2.4 本章小結(jié)
第三章 AlGaN/GaN HEMT器件熱存儲可靠性研究
3.1 實驗設(shè)置
3.2 熱存儲對器件柵電容的影響
3.3 熱存儲對器件直流特性的影響
3.3.1 輸出特性的變化
3.3.2 轉(zhuǎn)移特性和跨導(dǎo)的變化
3.3.3 柵泄漏電流的變化
3.4 熱存儲對器件交流特性的影響
3.4.1 柵延遲特性的變化
3.4.2 電流崩塌特性的變化
3.5 本章小結(jié)
第四章 AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合退化特性研究
4.1 AlGaN/GaN HEMT器件的變溫特性
4.2 AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合實驗研究
4.2.1 開態(tài)應(yīng)力下AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合實驗研究
4.2.2 關(guān)態(tài)應(yīng)力下AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合實驗研究
4.2.3 電熱耦合實驗的恢復(fù)特性
4.2.4 退化機制分析
4.3 AlGaN/GaN HEMT的壽命模型
4.3.1 加速壽命實驗理論基礎(chǔ)
4.3.2 加速壽命實驗結(jié)果
4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
致謝
作者簡介
本文編號:3831733
【文章頁數(shù)】:81 頁
【學(xué)位級別】:碩士
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ABSTRACT
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第一章 緒論
1.1 GaN材料和AlGaN/GaN HEMT器件的研究進展
1.1.1 GaN材料的優(yōu)勢及其發(fā)展
1.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的研究進展
1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性問題及其研究現(xiàn)狀
1.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性問題
1.2.2 自熱效應(yīng),熱存儲和電熱耦合效應(yīng)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.3 本文的主要內(nèi)容和安排
第二章 AlGaN/GaN HEMT器件自熱效應(yīng)仿真研究
2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理
2.1.1 GaN材料的晶格結(jié)構(gòu)
2.1.2 極化效應(yīng)
2.1.3 二維電子氣
2.1.4 HEMT器件的基本結(jié)構(gòu)
2.2 AlGaN/GaN HEMT器件模型
2.3 自熱效應(yīng)仿真
2.3.1 自熱效應(yīng)對直流特性的影響
2.3.2 自熱效應(yīng)對交流特性的影響
2.3.3 不同襯底材料對自熱效應(yīng)的影響
2.3.4 倒裝結(jié)構(gòu)的仿真
2.4 本章小結(jié)
第三章 AlGaN/GaN HEMT器件熱存儲可靠性研究
3.1 實驗設(shè)置
3.2 熱存儲對器件柵電容的影響
3.3 熱存儲對器件直流特性的影響
3.3.1 輸出特性的變化
3.3.2 轉(zhuǎn)移特性和跨導(dǎo)的變化
3.3.3 柵泄漏電流的變化
3.4 熱存儲對器件交流特性的影響
3.4.1 柵延遲特性的變化
3.4.2 電流崩塌特性的變化
3.5 本章小結(jié)
第四章 AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合退化特性研究
4.1 AlGaN/GaN HEMT器件的變溫特性
4.2 AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合實驗研究
4.2.1 開態(tài)應(yīng)力下AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合實驗研究
4.2.2 關(guān)態(tài)應(yīng)力下AlGaN/GaN HEMT器件電熱耦合實驗研究
4.2.3 電熱耦合實驗的恢復(fù)特性
4.2.4 退化機制分析
4.3 AlGaN/GaN HEMT的壽命模型
4.3.1 加速壽命實驗理論基礎(chǔ)
4.3.2 加速壽命實驗結(jié)果
4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
致謝
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本文編號:3831733
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