利用量子化學(xué)的密度泛函理論,研究用于制備紫外光電器件的AlN薄膜在MOCVD生長中的氣相寄生反應(yīng),計算與氣相納米粒子相關(guān)的3種主要多聚物[DMAlNH₂]₂,[MMAlNH]₂,[MMAlNH]₃與NH₃的反應(yīng)路徑.通過對比不同溫度下反應(yīng)前后的吉布斯自由能差ΔG以及過渡態(tài)的活化自由能ΔG^*,判斷反應(yīng)發(fā)生的方向和概率.結(jié)果表明:[DMAlNH₂]₂存在2條競爭路徑,當T<749 K時,反應(yīng)走[DMAlNH₂]₂與NH₃的雙分子反應(yīng)路徑,產(chǎn)物為[Al(NH₂)₃]₂;當T>749 K時,反應(yīng)趨向于活化自由能更低的、脫去CH₄生成[MMAlNH]₂的分子內(nèi)反應(yīng)路徑.[MMAlNH]₂,[MMAlNH]_3...

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【文章目錄】：
1 計算模型和驗證
2 結(jié)果與討論
    2.1 [DMAlNH2]2與NH3的反應(yīng)
    2.2 [MMAlNH]2與NH3的反應(yīng)
    2.3 [MMAlNH]3與NH3的反應(yīng)
3 結(jié) 論



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