本文主要圍繞應(yīng)用于ROF光載無(wú)線通信系統(tǒng)里的高線性激光器陣列芯片結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入研究。本文通過(guò)對(duì)高線性大功率激光器中光柵結(jié)構(gòu)對(duì)其腔內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度和增益耦合系數(shù)的分布原理進(jìn)行深入研究分析,并使用多相移光柵(multi phase shifted,MPS)、節(jié)距調(diào)節(jié)光柵(corrugation pitch modulated,CPM)、分布耦合系數(shù)光柵(distributed coupling coefficient,DCC)等對(duì)高線性大功率激光器中的光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真優(yōu)化,并通過(guò)測(cè)試驗(yàn)證提高了激光器陣列芯片的邊模抑制比和線性指標(biāo)。本文的創(chuàng)新點(diǎn)和工作分為如下幾個(gè)部分:(一)設(shè)計(jì)優(yōu)化了增益耦合型光柵結(jié)構(gòu):通過(guò)利用多相移、節(jié)距調(diào)節(jié)、分布耦合系數(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)對(duì)光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,使電場(chǎng)強(qiáng)度在激光器腔內(nèi)的橫向分布非常均勻,同時(shí)增益耦合系數(shù)在激光器腔內(nèi)的縱向分布非常均勻,極大地提高了激光器的邊模抑制比,很好的實(shí)現(xiàn)了激光器陣列的單模特性。增益耦合型光柵應(yīng)用于四通道激光器陣列,實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果證明:閾值電流降低至11mA,輸出功率高于lOdBm,邊模抑制比達(dá)到41dB。(二)本設(shè)計(jì)采用AlGaInAs應(yīng)變多量子阱材料,...

【文章頁(yè)數(shù)】：59 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 高線性大功率激光器的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 高線性大功率激光器中光柵結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀
    1.3 本文研究?jī)?nèi)容及目的
    1.4 論文結(jié)構(gòu)安排
    1.5 本章小結(jié)
第二章 高線性大功率激光器中光柵結(jié)構(gòu)原理
    2.1 高線性大功率激光器概述
        2.1.1 半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)述
        2.1.2 高線性大功率激光器的原理分析
        2.1.3 高線性大功率激光器的空間燒孔效應(yīng)
    2.2 增益耦合光柵結(jié)構(gòu)的激光器
    2.3 高線性大功率激光器中增益耦合系數(shù)
        2.3.1 高線性大功率激光器耦合系數(shù)的結(jié)構(gòu)定義
        2.3.2 波紋形狀對(duì)耦合系數(shù)的影響
    2.4 復(fù)雜光柵結(jié)構(gòu)的高線性大功率激光器分析
        2.4.1 多相移光柵高線性大功率激光器
        2.4.2 節(jié)距調(diào)節(jié)光柵高線性大功率激光器
        2.4.3 取樣光柵高線性大功率激光器
        2.4.4 重構(gòu)等效啁啾技術(shù)的高線性大功率激光器
        2.4.5 分布耦合系數(shù)光柵高線性大功率激光器
    2.5 本章小結(jié)
第三章 高線性大功率激光器中增益耦合型光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化
    3.1 理論分析
    3.2 仿真和實(shí)驗(yàn)及分析
        3.2.1 增益耦合光柵優(yōu)化的仿真、測(cè)試分析
        3.2.2 制作光柵結(jié)構(gòu)的裝置及步驟
    3.3 高線性大功率激光器中光柵的制作技術(shù)
        3.3.1 全息曝光技術(shù)制作光柵
        3.3.2 光學(xué)曝光技術(shù)制作光柵
        3.3.3 電子束曝光技術(shù)制作光柵
    3.4 本章小結(jié)
第四章 高線性大功率激光器陣列的研究
    4.1 高線性大功率的實(shí)現(xiàn)
        4.1.1 AlGaInAs應(yīng)變多量子阱材料仿真
        4.1.2 結(jié)果分析
    4.2 硅基微波光子芯片集成
        4.2.1 微波光子芯片技術(shù)
        4.2.2 硅基微波光子芯片集成技術(shù)
        4.2.3 硅基微波光子芯片集成的關(guān)鍵技術(shù)
    4.3 硅基微波光子芯片發(fā)展趨勢(shì)
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 主要研究工作總結(jié)
    5.2 對(duì)于未來(lái)工作的展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間取得的研究成果



本文編號(hào)：3816035