發(fā)布時(shí)間：2023-04-26 04:39

　　為了實(shí)現(xiàn)對(duì)微波器件高功率微波效應(yīng)的分析,主要從不同尺度半導(dǎo)體器件和波導(dǎo)器件出發(fā),基于具有譜精度的譜元時(shí)域法,開展從微米尺度到納米尺度半導(dǎo)體器件電熱耦合一體化分析的方法以及高功率微波氣體放電效應(yīng)及抑制機(jī)理的研究.得到了半導(dǎo)體器件在電磁信號(hào)作用下發(fā)生的電熱參數(shù)分布變化規(guī)律和微波器件在高功率微波下發(fā)生的氣體放電及其抑制機(jī)理,根據(jù)以上相關(guān)效應(yīng)機(jī)理,可為復(fù)雜電磁環(huán)境中的器件設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo).

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【文章目錄】：
引 言
1 半導(dǎo)體器件高功率微波效應(yīng)多物理場(chǎng)建模方法
    1.1 不同尺度半導(dǎo)體器件物理模型分析
        1.1.1 微米級(jí)二極管
        1.1.2 亞微米/深亞微米級(jí)二極管
        1.1.3 納米級(jí)二極管
    1.2 納米級(jí)半導(dǎo)體器件電熱一體化分析
        1) 密度梯度模型驗(yàn)證
        2) DPL熱方程驗(yàn)證
        3) 納米MOSFET的電熱一體化仿真分析
2 高功率微波氣體放電效應(yīng)多物理場(chǎng)分析
3 結(jié) 論



本文編號(hào)：3801762