發(fā)布時(shí)間：2023-04-19 00:25

　　由于具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性能,比如良好的溝道傳輸性能、合適的帶隙、較高的載流子濃度和電子遷移率和良好的穩(wěn)定性,一維半導(dǎo)體金屬氧化物(比如ZnO、In₂O₃、SnO₂等)在未來的場(chǎng)效應(yīng)晶體管領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但是,由于CVD、MOCVD和MBE技術(shù)的成本非常高,而且制備工藝復(fù)雜,所以不適合應(yīng)用于未來大規(guī)模集成電路中。水熱法制備的一維材料表面粗糙不可控,對(duì)器件的性能影響非常大。靜電紡絲技術(shù)由于其低成本、高效率、高產(chǎn)量及制備的納米纖維(NF)形貌可控等優(yōu)勢(shì),非常適合于未來的電子器件制備中。本論文的研究?jī)?nèi)容及實(shí)驗(yàn)結(jié)果主要由以下幾個(gè)部分組成:1.基于Sr-In₂O₃ NFs網(wǎng)狀薄膜傳導(dǎo)層的E-mode FET被成功地由一步靜電紡絲法制備。尤其是,我們利用紫外光照的方法顯著地提高了NFs和襯底的粘附性,這對(duì)于器件的界面性能有很大的改善。經(jīng)過實(shí)驗(yàn),我們發(fā)現(xiàn)最佳的Sr摻雜濃度為3.6 mol%,器件表現(xiàn)出優(yōu)異的電學(xué)性能,即載流子遷移率為3.67cm²V^-1...

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 TFT的結(jié)構(gòu)及工作原理
    1.3 金屬氧化物TFT(MO_x TFT)的發(fā)展歷程
    1.4 靜電紡絲技術(shù)簡(jiǎn)介
    1.5 基于靜電紡絲技術(shù)制備的納米NFs FET的現(xiàn)狀
    1.6 本論文的選題意義及研究?jī)?nèi)容
第二章 Sr摻雜調(diào)控In₂O₃ 納米纖維薄膜晶體管的電學(xué)性能
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 前驅(qū)體溶液的制備
        2.2.2 NFs FET的制備
        2.2.3 NF和 FET的表征
    2.3 結(jié)構(gòu)與討論
        2.3.1 SEM分析樣品形貌
        2.3.2 XRD分析
        2.3.3 TEM結(jié)果討論
        2.3.4 吸收光譜分析與帶隙計(jì)算
        2.3.5 電學(xué)性能的表征
    2.4 結(jié)論
第三章 低功耗ZnO NFs網(wǎng)狀薄膜晶體管的制備
    3.1 前言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 電紡前驅(qū)體溶液的制備
        3.2.2 旋涂法制備Al₂O₃薄膜介電層
        3.2.3 靜電紡絲技術(shù)制備ZnO NFs
        3.2.4 ZnO NFs的表征
        3.2.5 ZnO NFs TFT的制備及電學(xué)性能的表征
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 SEM結(jié)果分析
        3.3.3 XRD分析樣品組分及其結(jié)晶度、晶粒尺寸
        3.3.4 TEM進(jìn)一步分析晶體微觀結(jié)構(gòu)
        3.3.5 XPS的分析結(jié)果
        3.3.6 ZnO NFs TET的電學(xué)性能討論
        3.3.7 高k器件的制備
    3.4 總結(jié)
第四章 總結(jié)與展望
    4.1 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的研究成果
獲獎(jiǎng)情況
致謝



本文編號(hào)：3793342